[发明专利]一种六角形粗化表面的LED外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201310197875.0 | 申请日： | 2013-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN103325908B | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 王敏帅;黄晓菁;蔡晓梅;杨兰;郑凯 | 申请（专利权）人： | 集美大学 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361021 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 六角形 表面 led 外延 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种六角形粗化表面的LED外延片的制备方法，步骤为：
1)在半导体衬底上依次长出缓冲层、N-GaN层、量子阱层、及P-GaN层和/或盖层；2)通过对P-GaN层或盖层或两者的任意组合掺杂元素铟，从而使所述P-GaN层形成六角形粗化表面；所述六角形粗化表面为六角形位错坑。
2.如权利要求1所述的六角形粗化表面的LED外延片的制备方法，其特征在于：在所述半导体衬底上生长各层以及粗化层的形成都是连续性生长。
3.如权利要求1所述的六角形粗化表面的LED外延片的制备方法，其特征在于：所述生长采用金属有机物化学气相沉积法进行。
4.如权利要求1所述的六角形粗化表面的LED外延片的制备方法，其特征在于：所述半导体衬底的材料为硅、蓝宝石、及SiC中的一种。
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