[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.半导体器件，该半导体器件包括衬底，在衬底上具有设有n型电极的n型半导体以及设有p型电极的p型半导体的半导体芯片，其特征在于，半导体芯片或者半导体芯片内两个或者两个以上的相邻发光领域之间的侧面的各外延结晶层之间的结合处形成一层的绝缘层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述衬底为单晶Al₂O₃、单晶SiC、单晶GaN、单晶Ga₂O₃、单晶ZnO、单晶GaAs、单晶InP或单晶Si；或者是上述材料在多晶上结合单晶而形成一体化的衬底；或者是上述材料在非结晶上结合单晶而形成一体化的衬底。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述的衬底上形成Ⅲ族氮化物半导体或者Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体或者Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的半导体芯片。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体芯片包括发光层，在衬底和发光层之间生长有能够降低衬底结晶缺陷对半导体器件影响的缓冲层。

5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述Ⅲ族氮化物半导体是指含有GaN、InN或者AlN的一种或几种而形成的能够发出可见光或者紫外光的混晶化合物半导体。

6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体是指含有GaAs、InAs、InP或者AlAs的一种或几种而形成的能够发出可见光或者红外光混晶化合物半导体。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体是指含有ZnO、ZnS、ZnSe、CdO、MgO、MgZnO、MgS、MgSe或者CdS的一种或者几种而形成的能够发出可见光或者紫外光的混晶化合物半导体。

8.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述的绝缘分隔层通过离子注入法形成或者通过蚀刻沟并填充绝缘材料形成。

9.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其特征在于，所述的绝缘层为不导电的透明材料。