[发明专利]一种钐钴基永磁体、其制备方法以及磁性能调控方法有效

专利信息
申请号: 201310196922.X 申请日: 2013-05-22
公开(公告)号: CN104183349B 公开(公告)日: 2017-08-25
发明(设计)人: 刘雷;刘壮;陈仁杰;闫阿儒;刘兴民;李东;李卫 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01F1/055 分类号: H01F1/055;H01F41/02
代理公司: 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 代理人: 陈英俊
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 钐钴基 永磁体 制备 方法 以及 磁性 调控
【说明书】:

技术领域

本发明属于稀土永磁材料制造领域,涉及一种钐钴基永磁体、其制备方法以及磁性能调控方法。

背景技术

2∶17型钐钴基合金是20世纪70年代发展起来的永磁材料,因其不仅具备高的磁性能,而且具有居里温度高(高于820℃)、温度稳定性好、耐腐蚀性强及抗氧化性好等优点,在永磁材料中具有不可替代的作用。尤其是2∶17型钐钴基永磁体,具有耐高温、超低温度系数和高磁性能,在航天、航空、航海等对磁体综合性能有较高要求的领域中成为了首选。因此,很多国家都把钐钴永磁体作为材料领域重点研究的对象之一。

2∶17型钐钴基永磁体的核心结构就是胞状结构,是由胞内和胞壁两部分组成,胞内包括富Fe的R2-17主相和富Zr的片状相,它们分别是高剩磁的主要来源和Cu原子扩散到胞壁相的重要通道;胞壁由富Cu的H1-5相组成,是磁体反磁化过程的钉扎中心,为磁体获得高矫顽力和良好矫顽力温度稳定性起着不可或缺的作用。

因此,为了获得2∶17型钐钴基永磁体高的矫顽力,目前人们已经通过添加Cu、Zr元素,优化热处理工艺来实现富Cu的胞壁相,提高其在反磁化过程中对畴壁的钉扎作用,从而获得高的矫顽力。通过这种方法获得了一系列实用型的磁体,但是这种方法也存在很大不足,例如,W.Tang等在文献:W.Tang,Magnetics,IEEE Transactions on2001,37,2515中报道研究了Cu元素含量对矫顽力的影响,得到:当Cu含量很低时,虽然矫顽力在一定区间甚至可以获得正的温度系数,但是由于矫顽力太低无法成为实用磁体;当Cu含量高时,虽然室温矫顽力很高,但是矫顽力的温度稳定性却严重恶化。另外,公开号为US5772796A的专利文献提供了一种通过调节钐钴系磁体材料Sm(Co1-x-y-zFexCuyZrz)w中的x,y,z,w的大小来实现矫顽力温度稳定性的方法,但是该方法是以大幅度降低磁体室温矫顽力和综合磁性能为代价的。

所以,探索具有新型结构的钐钴基永磁体,以实现钐钴基永磁体的高磁性能与高温度稳定性,不仅有利于提高钐钴基永磁体的实用化,而且为简单调控钐钴基永磁体矫顽力、温度稳性等性能寻求了新的方法。

发明内容

本发明的技术目的是提供一种新型结构的钐钴基永磁体,其具有高的磁性能与温度稳定性。

为了实现上述技术目的,本发明人通过大量实验探索后发现,当2∶17型钐钴基永磁体(一般包括Sm、Co、Fe、Cu、Zr等元素)中包含R元素时,R为选La、Ce、Pr、Nd、Y、Gd、Dy、Tb、Ho、Er所组成组中的至少一种元素, 在胞内相:(SmR)2(CoM)17系化合物与胞壁相:(SmR)(CoM)5系化合物中,使该R元素富集在胞壁相中,即(SmR)(CoM)5系化合物中的R元素浓度明显高于(SmR)2(CoM)17系化合物中的R元素浓度,则由于引入了R元素到胞壁相中,改变了胞壁相的磁晶各向异性参数及晶格畸变程度等磁特性,从而对磁体的矫顽力及温度稳定性的有着重要的影响。

因此,本发明人所提出的技术方案为:一种钐钴基永磁体,由钐、钴元素以及R、M元素组成,其中R为选La、Ce、Pr、Nd、Y、Gd、Dy、Tb、Ho、Er组成组中的至少一种元素,M为选Fe、Cu、Zr、Ni、Ti、Nb、Mo、Hf、W组成组中的至少一种元素;

该钐钴基永磁体的微观结构是两种化合物,即结晶状为菱方结构的(SmR)2(CoM)17系化合物与结晶状为六方结构的(SmR)(CoM)5系化合物,组成的胞状复合体,其中(SmR)(CoM)5系化合物作为胞壁包裹(SmR)2(CoM)17系化合物;

并且,该胞状复合体具有富R的胞壁相,即R元素在(SmR)(CoM)5系化合物中的浓度高于在(SmR)2(CoM)17系化合物中的浓度。

作为优选,所述的R元素在(SmR)(CoM)5系化合物中的浓度是在(SmR)2(CoM)17系化合物中的浓度的1.5倍以上。

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