[发明专利]制造半导体发光装置的方法

权利要求书

1.一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括下述步骤：

通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构；

在第二导电类型半导体层上沉积支撑单元，以与发光结构结合；

从发光结构分离半导体生长基板；

对半导体生长基板和残留的发光结构之间的界面进行湿法蚀刻，从而使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构从半导体生长基板分离；以及

清洗半导体生长基板。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，发光结构是氮化物半导体层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，氮化物半导体层由Al_xIn_yGa_(1-x-y)N表示，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，利用从由KOH、NaOH、NH₄OH和H₂SO₃:HCl组成的组选择的蚀刻溶液来执行湿法蚀刻步骤。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，用于湿法蚀刻工艺的温度范围为20℃到300℃。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，利用激光剥离工艺执行从发光结构分离半导体生长基板的步骤。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，半导体生长基板是包含蓝宝石、SiC、Si、MgAl₂O₄、MgO、LiAlO₂、LiGaO₂或GaN的基板。

8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括下述步骤：

在对发光结构和半导体生长基板的界面进行湿法蚀刻以使残留在分离后的半导体生长基板上的发光结构分离之后，对半导体生长基板进行化学或机械地精细抛光，

其中，在对半导体生长基板进行化学或机械地精细抛光的操作中不执行研磨工艺。

9.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在第一导电类型半导体层的表面上形成电极的步骤。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，清洗半导体生长基板的步骤包括化学清洗操作或物理清洗操作。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，第一导电类型半导体层的生长包括生长n-GaN层。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，第二导电类型半导体层的生长包括生长p-GaN层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，通过金属有机化学气相沉积、分子束外延或氢化物气相外延的方式来生长发光结构。

14.一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括下述步骤：

通过在半导体生长基板上顺序地生长第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层来形成发光结构；

在第二导电类型半导体层上粘合支撑单元，以与发光结构结合；

从发光结构分离半导体生长基板；

通过化学蚀刻的方式去除存在于半导体生长基板的表面上的残余量的发光结构；以及

清洗半导体生长基板，从而使半导体生长基板能够重复利用。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，发光结构是氮化物半导体层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，氮化物半导体层由Al_xIn_yGa_(1-x-y)N表示，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，利用从由KOH、NaOH、NH₄OH和H₂SO₃:HCl组成的组选择的蚀刻溶液来执行化学蚀刻步骤。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，用于化学蚀刻步骤的温度范围为20℃到300℃。

19.根据权利要求14所述的方法，其中，利用激光剥离工艺执行从发光结构分离半导体生长基板的步骤。

20.根据权利要求14所述的方法，其中，半导体生长基板是包含蓝宝石、SiC、Si、MgAl₂O₄、MgO、LiAlO₂、LiGaO₂或GaN的基板。