[发明专利]钐掺杂氟铍磷酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件

权利要求书

1.一种钐掺杂氟铍磷酸盐的发光薄膜，其特征在于，其化学通式为:BeMe₄(PO₄)₃F:xSm³⁺；其中，BeMe₄(PO₄)₃F是基质，Sm³⁺是激活光离子，为发光薄膜的发光中心，Me选自Mg,Ca,Sr或Ba元素，x的取值范围为0.01～0.05。

2.根据权利要求1所述的钐掺杂氟铍磷酸盐的发光薄膜，其特征在于，x的取值为0.02。

3.根据权利要求1所述的钐掺杂氟铍磷酸盐的发光薄膜，其特征在于，包括下述化学式的发光薄膜:

BeMg₄(PO₄)₃F:0.01Sm³⁺；BeMg₄(PO₄)₃F:0.02Sm³⁺；BeMg₄(PO₄)₃F:0.05Sm³⁺；BeCa₄(PO₄)₃F:0.02Sm³⁺；BeCa₄(PO₄)₃F:0.01Sm³⁺；BeCa₄(PO₄)₃F:0.05Sm³⁺；BeCa₄(PO₄)₃F:0.05Sm³⁺；BeSr₄(PO₄)₃F:0.02Sm³⁺；BeSr₄(PO₄)₃F:0.01Sm³⁺；BeSr₄(PO₄)₃F:0.05Sm³⁺；BeBa₄(PO₄)₃F:0.01Sm³⁺；BeBa₄(PO₄)₃F:0.05Sm³⁺。

4.一种钐掺杂氟铍磷酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:

陶瓷靶材的制备:分别选用纯度为99.99%的MeO，BeF₂，P₂O₅和Sm₂O₃粉体，均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制得陶瓷靶材，其中，MeO，BeF₂，P₂O₅和Sm₂O₃的摩尔比为8:2:3:x；

将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体后，对腔体进行抽真空处理，控制腔体真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为45～95mm，衬底温度为250℃～750℃，镀膜激光的能量为80～300W，过程中通入流量为10～40sccm的氧气，工作压强为0.5～5Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理；随后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得钐掺杂氟铍磷酸盐的发光薄膜，该发光薄膜的其化学通式为:BeMe₄(PO₄)₃F:xSm³⁺；其中，BeMe₄(PO₄)₃F是基质，Sm³⁺是激活光离子，为发光薄膜的发光中心，Me选自Mg,Ca,Sr或Ba元素，x的取值范围为0.01～0.05。

5.根据权利要求4所述的钐掺杂氟铍磷酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述陶瓷靶材制备过程中的烧结温度为1250℃。