[发明专利]一种基准电压源有效
| 申请号： | 201310196275.2 | 申请日： | 2013-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN104181971A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 罗广泉;白青刚 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 朱业刚 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基准 电压 | ||
1.一种基准电压源，其特征在于，包括：第一耗尽型MOS管、第一增强型NMOS管、第二增强型NMOS管、及第三增强型NMOS管；
所述第一耗尽型MOS管的源极和栅极连接，
所述第一增强型NMOS管的漏极连接供电端，所述第一增强型NMOS管的源极连接基准电压输出端、所述第一增强型NMOS管的栅极连接所述第二增强型NMOS管的漏极，所述第二增强型NMOS管的源极连接至接地端，所述第二增强型NMOS管的栅极与所述第三增强型NMOS管的栅极共同连接至所述第三增强型NMOS管的漏极，所述第三增强型NMOS管的漏极连接所述第一增强型NMOS管的源极，所述第三增强型NMOS管的源极连接至所述接地端；
所述第一耗尽型MOS管为耗尽型NMOS管，所述第一耗尽型MOS管的漏极与所述供电端连接，所述第一耗尽型MOS管的源极与所述第二增强型NMOS管的漏极连接；或
所述第一耗尽型MOS管为耗尽型PMOS管，所述第一耗尽型MOS管的漏极与所述第二增强型NMOS管的漏极连接，所述第一耗尽型MOS管的源极与所述供电端连接。
2.如权利要求1所述的基准电压源，其特征在于，还包括在所述第一增强型NMOS管的源极和所述第三增强型NMOS管的漏极之间串联的至少一个第四增强型NMOS管；
每个所述第四增强型NMOS管的栅极与漏极连接，每个所述第一增强型NMOS管、所述至少一个第四增强型NMOS管、及所述第三增强型NMOS管之间依次通过上一NMOS管的源极与下一NMOS管的漏极连接的方式串联。
3.如权利要求1或2所述的基准电压源，其特征在于，所述第三增强型NMOS管的宽度Wn与所述第二增强型NMOS管的宽度相同，所述第三增强型NMOS管的长度Ln与所述第二增强型NMOS管的长度相同，所述第一耗尽型MOS管的宽长比为Wd/Ld，
且
其中，为所述第三增强型NMOS管的阀值电压相对于温度的变化率，为所述第一耗尽型MOS管的阀值电压的绝对值相对于温度的变化率，Wn/Ln为所述第二增强型NMOS管和第三增强型NMOS管的宽长比。
4.如权利要求3所述的基准电压源，其特征在于，所述第四增强型NMOS管的长度与所述第三增强型NMOS管的长度相同，所述第四增强型NMOS管的宽度与所述第三增强型NMOS管的宽度相同。
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