[发明专利]一种石斛基质的制备方法

说明书

技术领域

本发明属用于栽培石斛的基质制备方法技术领域。

背景技术

现有技术方法制备的用于栽培石斛的基质，在元素组成上存在缺陷，缺少很多微量元素，导致生长慢，而且现有的基质与石斛的野外生长环境差距很远，不利于石斛的生长。

发明内容

本发明的目的是提供一种仿石斛的野生环境、含有多种微量元素、提高石斛生长能力、成长快的基质。

本发明的目的是通过如下技术方案来实现的。

一种石斛基质的制备方法，其特征在于：由稻草层、缓冲层、基质层组成，地面上首先铺设稻草1-3厘米厚，稻草上铺一层2-3厘米厚的缓冲层，所述的缓冲层上再铺设10-12厘米的基质层；所述的缓冲层由下列重量份原料混合而成：蚕砂12-15、食用菌栽培废料100-120、河砂50-60、红糖1-2、风化煤12-15、冬青油1-2、米糠20-25；所述的基质层由下列重量份的原料制成，制备步骤为：

S1：称取下列重量份的原料：干动物粪便200-300、树皮粉140-180、花生壳40-50、统糠20-30、水果渣60-70、铁矿渣15-20、生石灰1-2、纳米碳1-2、冬青油1-2、凹凸棒土30-40、砖渣80-90、硼砂0.1-0.2、亚硒酸钠0.2-0.3、、钼酸胺0.02-0.03、醋酸锰0.02-0.03、硫酸亚铁0.2-0.3、硫酸锌0.1-0.2；

S2：将硼砂、亚硒酸钠、、钼酸胺、醋酸锰、硫酸亚铁、硫酸锌与冬青油混合后再和其它原料混合均匀，掺入适量水，接种EM菌发酵剂，堆积发酵20-25天，消毒、得到。

本发明具有疏松、透气、保肥、保水的显著优点，且分别含有多种微量元素，仿石斛野外生存环境。利用本发明方法制备的基质栽培的霍山石斛，可提前到1 年半左右收获，在外观和内在品质方面优于其它方法栽种的霍山石斛。

具体实施方式

    一种石斛基质的制备方法，由稻草层、缓冲层、基质层组成，地面上首先铺设稻草1厘米厚，稻草上铺一层3厘米厚的缓冲层，所述的缓冲层上再铺设12厘米的基质层；所述的缓冲层由下列重量份原料混合而成：蚕砂15、食用菌栽培废料100、河砂60、红糖2、风化煤15、冬青油2、米糠25；所述的基质层由下列重量份的原料制成，制备步骤为：

S1：称取下列重量份的原料：干动物粪便300、树皮粉180、花生壳50、统糠30、水果渣70、铁矿渣20、生石灰2、纳米碳2、冬青油2、凹凸棒土40、砖渣90、硼砂0.2、亚硒酸钠0.3、、钼酸胺0.03、醋酸锰0.03、硫酸亚铁0.3、硫酸锌0.2；

S2：将硼砂、亚硒酸钠、、钼酸胺、醋酸锰、硫酸亚铁、硫酸锌与冬青油混合后再和其它原料混合均匀，掺入适量水，接种EM菌发酵剂，堆积发酵20-25天，消毒、得到。

霍山石斛苗发芽后，栽到基质上，96%以上均可成活，到1 年半左右可收获，亩产鲜品280公斤，在外观和内在品质方面优于其它方法栽种的霍山石斛。