[发明专利]一种霍山石斛扦插成苗的方法

权利要求书

1.一种霍山石斛扦插成苗的方法，其特征在于包括如下步骤：

（1）、扦插时间大约在4-5月份，选取品质优良、生长健壮的霍山石斛，不宜用已开花的，剪取石斛的茎时向上应保留2—3个芽节平截，切口要平滑；

（2）、剪取后石斛的茎用400-600倍液多菌灵进行消毒，浸泡10-15分钟插入基质苗床中，插茎周边围上草粉并用黄土镇压；插入时注意生长方向上下不可颠倒；所述的多菌灵液中含有80-120PPm的亚硒酸钠；

所述的基质苗床，采用以下构造：选择疏松通气的良好地块，地面上首先铺设稻草3-5厘米厚，稻草上铺一层3-5厘米厚的缓冲层，所述的缓冲层上再铺设10-12厘米的基质层；所述的缓冲层由下列重量份原料混合而成：蚕砂2-4、食用菌栽培废料6-8、河砂1-2、红糖1-2、风化煤2-3；所述的基质层由下列重量份的原料制成，制备步骤为：

S1：称取下列重量份的原料：干牛粪便200-300、稻草粉140-180、花生壳40-50、统糠20-30、水果渣60-70、铁矿渣15-20、生石灰1-2、冬青油1-2、纳米碳0.3-0.5、凹凸棒土30-40、砖渣80-90、硼砂1-2、亚硒酸钠0.2-0.3；

S2：将上述原料混合均匀，掺入适量水，接种EM菌发酵剂，堆积发酵12-15天，消毒、得到，

（3）、石斛插穗大约在21℃~25℃之间的温度下最容易生根，等到生根发芽后就可移栽。