[发明专利]铕掺杂镓硅酸盐的发光薄膜及其制备方法和电致发光器件

权利要求书

1.一种铕掺杂镓硅酸盐的发光薄膜，其特征在于，其化学通式为:MeGa_2-xSi₂O₈:xEu³⁺；其中，MeGa_2-xSi₂O₈是基质，Eu³⁺是激活光离子，为发光薄膜的发光中心，Me选自Mg,Ca,Sr或Ba元素，x的取值范围为0.01～0.05。

2.根据权利要求1所述的铕掺杂镓硅酸盐的发光薄膜，其特征在于，x的取值为0.02。

3.根据权利要求1所述的铕掺杂镓硅酸盐的发光薄膜，其特征在于，包括下述化学式的发光薄膜:

MgGa_1.98Si₂O₈:0.02Eu³⁺；MgGa_1.95Si₂O₈:0.05Eu³⁺；MgGa_1.99Si₂O₈:0.01Eu³⁺；CaGa_1.98Si₂O₈:0.02Eu³⁺；CaGa_1.95Si₂O₈:0.05Eu³⁺；CaGa_1.99Si₂O₈:0.01Eu³⁺；SrGa_1.98Si₂O₈:0.02Eu³⁺；SrGa_1.95Si₂O₈:0.05Eu³⁺；SrGa_1.99Si₂O₈:0.01Eu³⁺；BaGa_1.98Si₂O₈:0.02Eu³⁺；BaGa_1.95Si₂O₈:0.05Eu³⁺；BaGa_1.99Si₂O₈:0.01Eu³⁺。

4.一种铕掺杂镓硅酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤:

陶瓷靶材的制备:分别称取MeO，Ga₂O₃，SiO₂和Eu₂O₃粉体，均匀混合后，在900～1300℃下烧结，制得陶瓷靶材，其中，MeO，Ga₂O₃，SiO₂和Eu₂O₃的摩尔比为1:1-x/2:2:x/2；

将制得的陶瓷靶材和ITO玻璃衬底装入镀膜设备的腔体中，密封腔体后，对腔体进行抽真空处理，控制腔体真空度为1.0×10^-3Pa～1.0×10^-5Pa；

设置镀膜工艺参数:设置基靶间距为45～95mm，衬底温度为250℃～750℃，过程中通入流量为10～35sccm的氩气工作气体，工作压强为0.2～4Pa；待工艺参数设置完成后，进行镀膜处理，得到样品，随后将样品置于0.01Pa真空炉中500～800℃下退火处理1～3h；随后在ITO玻璃衬底的ITO层表面制得铕掺杂镓硅酸盐的发光薄膜，该发光薄膜的其化学通式为:MeGa_2-xSi₂O₈:xEu³⁺；其中，MeGa_2-xSi₂O₈是基质，Eu³⁺是激活光离子，为发光薄膜的发光中心，Me选自Mg,Ca,Sr或Ba元素，x的取值范围为0.01～0.05。

5.根据权利要求4所述的铕掺杂镓硅酸盐的发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述陶瓷靶材制备过程中的烧结温度为1250℃。