[发明专利]增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法有效
| 申请号： | 201310194778.6 | 申请日： | 2013-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN103247709A | 公开（公告）日： | 2013-08-14 |
| 发明（设计）人： | 黎大兵;孙晓娟;宋航;蒋红;李志明;陈一仁;缪国庆 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L31/103 | 分类号： | H01L31/103;H01L31/105;H01L31/108 |
| 代理公司： | 长春菁华专利商标代理事务所 22210 | 代理人： | 王丹阳 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 增强 algan 深紫 探测器 响应 方法 | ||
1.增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)生长AlGaN基深紫外探测器材料；
(2)在AlGaN基深紫外探测器材料表面制备能够产生表面等离激元共振的金属纳米结构体系，所述的金属纳米结构体系由分散的银纳米颗粒或者分散的铝纳米颗粒组成；
(3)制备电极，得到AlGaN基深紫外探测器。
2.根据权利要求1所述的增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，其特征在于，当所述的AlGaN基深紫外探测器为金属-半导体-金属结构时，包括以下步骤：
(1)生长非故意掺杂的AlGaN基深紫外探测器材料；
(2)在AlGaN基深紫外探测器材料表面制备能够产生表面等离激元共振的金属纳米结构体系；
(3)制备叉指电极，得到AlGaN基深紫外探测器。
3.根据权利要求1所述的增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，其特征在于，当所述的AlGaN基深紫外探测器为肖特基结构时，包括以下步骤：
(1)生长肖特基结构的AlGaN基深紫外探测器材料；
(2)在AlGaN基深紫外探测器材料表面制备能够产生表面等离激元共振的金属纳米结构体系；
(3)制备欧姆接触电极和肖特基接触电极，得到AlGaN基深紫外探测器。
4.根据权利要求1所述的增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，其特征在于，当所述的AlGaN基深紫外探测器为PN结构或者PIN结构时，包括以下步骤：
(1)生长PN结构或者PIN结构的AlGaN基深紫外探测器材料；
(2)在P型AlGaN深紫外探测器材料表面制备能够产生表面等离激元共振的金属纳米结构体系；
(3)制备N型AlGaN欧姆接触电极和P型AlGaN欧姆接触电极，得到AlGaN基深紫外探测器。
5.根据权利要求1-4所述的增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，其特征在于，步骤(1)所述的生长AlGaN基深紫外探测器材料的衬底材料为蓝宝石、硅或者碳化硅。
6.根据权利要求1-4所述的增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，其特征在于，步骤(1)所述的生长AlGaN基深紫外探测器材料的方法为有机金属化学气相沉积法。
7.根据权利要求6所述的增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，其特征在于，所述的有机金属化学气相沉积法为高温有机金属化学气相沉积法。
8.根据权利要求1-4所述的增强AlGaN基深紫外探测器响应度的方法，其特征在于，步骤(2)所述的金属纳米结构体系是采用阳极氧化铝模板法、纳米球刻蚀法、电子束曝光法或者真空蒸发法制备的。
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