[发明专利]静电放电保护结构有效
| 申请号： | 201310193679.6 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104183593B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 静电 放电 保护 结构 | ||
1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底表面并列设置的若干NMOS晶体管，位于所述半导体衬底内的第一连接区和第一N型阱区，所述第一N型阱区位于所述第一连接区和NMOS晶体管之间；
所述第一N型阱区、NMOS晶体管的漏极与静电放电输入端相连接，所述NMOS晶体管的源极与接地端相连接，所述第一连接区与NMOS晶体管的栅极相连接；
第二N型阱区，所述第二N型阱区位于相邻的NMOS晶体管之间；
第二连接区，所述第二连接区位于两个相邻NMOS晶体管的源极之间的两个第二N型阱区和位于所述两个第二N型阱区之间。
2.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第二N型阱区位于两个相邻NMOS晶体管的源极之间。
3.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，每两个NMOS晶体管之间具有第二N型阱区。
4.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述第一N型阱区和第二N型阱区的掺杂深度、掺杂浓度相同。
5.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括，位于所述半导体衬底内的P型阱区，所述NMOS晶体管的源极和漏极位于所述P型阱区内。
6.如权利要求5所述的静电放电保护结构，其特征在于，所述P型阱区和第一连接区的掺杂深度、掺杂浓度相同。
7.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于所述N型阱区内的第一N型重掺杂区，所述第一N型重掺杂区的掺杂浓度大于N型阱区的掺杂浓度。
8.如权利要求1所述的静电放电保护结构，其特征在于，还包括：位于所述第一连接区内的第一P型重掺杂区，所述第一P型重掺杂区的掺杂浓度大于第一连接区的掺杂浓度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
