[发明专利]衬底支撑结构、含有上述衬底支撑结构的反应腔室无效
| 申请号: | 201310193545.4 | 申请日: | 2013-05-22 |
| 公开(公告)号: | CN103243313A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
| 发明(设计)人: | 黄允文 | 申请(专利权)人: | 光垒光电科技(上海)有限公司 |
| 主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458 |
| 代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
| 地址: | 200050 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 支撑 结构 含有 上述 反应 | ||
1.一种衬底支撑结构,包括:衬底支撑盘和支撑环,所述支撑环支撑所述衬底支撑盘的边缘区域,所述衬底支撑盘下方并且所述支撑环围绕的空间内放置加热单元,其特征在于:所述支撑环至少与所述支撑盘接触的一段的导热性和吸热性均比石英好。
2.如权利要求1所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述支撑环具有上部和下部,所述上部为所述支撑环与所述支撑盘接触的一段,所述下部为所述支撑环远离所述支撑盘的一段,所述下部导热性和吸热性均比所述上部差。
3.如权利要求2所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述上部与所述下部之间通过隔热垫片连接。
4.如权利要求2所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述上部为耐高温金属上部,且所述耐高温金属上部的环体的内表面上涂有吸热涂层;或所述上部的为石墨上部。
5.如权利要求4所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述吸热涂层为石墨层或黑炭层。
6.如权利要求4所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述石墨上部的表面具有一碳化硅保护层。
7.如权利要求2所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述下部为所述支撑环位于所述加热器下表面所在平面以下的部分。
8.如权利要求2所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述下部的材料为石英。
9.如权利要求1所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述支撑环为石墨支撑环。
10.如权利要求9所述的衬底支撑结构,其特征在于:在进行工艺时,所述衬底支撑盘表面温度等于或高于1300℃。
11.如权利要求9所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述支撑环的表面具有一碳化硅保护层。
12.如权利要求1-11中任意一项所述的衬底支撑结构,其特征在于:所述支撑环为圆筒状旋转体结构,所述圆筒状旋转体结构的支撑环竖直设置。
13.一种化学气相沉积设备的反应腔室,包括衬底支撑结构以及加热单元,其特征在于,所述衬底支撑结构为权利要求1-12中任意一项所述的衬底支撑结构,所述加热单元设置于所述衬底支撑盘的下方,并位于所述支撑环内,所述支撑环围绕在所述加热单元周围。
14.如权利要求13所述的反应腔室,其特征在于:所述反应腔室进一步包括旋转台,所述旋转台固定于所述支撑环的底端。
15.如权利要求13-14中任意一项所述的反应腔室,其特征在于:在气相沉积工艺时,所述反应腔室内通入反应气体,所述反应气体包括III族源气体和V族源气体。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的





