[发明专利]倒置有机电致发光装置及制备方法、显示屏及其终端

权利要求书

1.一种倒置有机电致发光装置，包括依次层叠结合的基板、阴极层、有机功能层和作为出光面的阳极层，所述有机功能层包括在外加电源的驱动下发光的发光层，其特征在于：所述阴极层包括依次层叠结合的半透金属层、漫反射层、金属反射层，且所述半透金属层与有机功能层层叠结合，所述金属反射层与基板层叠结合，所述漫反射层材料为金属反射层材料的氧化物。

2.如权利要求1所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述漫反射层的厚度为10nm～100nm。

3.如权利要求1所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述金属反射层的厚度为70nm～500nm。

4.如权利要求1或3所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述金属反射层为Ag、Al中的任一种或两者合金。

5.如权利要求1所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述半透金属层的厚度为7nm～12nm。

6.如权利要求1或5所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述半透金属层材料为Mg、Ag、Al、Ca中的任一种或两者以上合金。

7.一种如权利要求1～6任一项所述的倒置有机电致发光装置的制备方法，其包括阴极层的如下制备步骤：

在真空镀膜系统中，将金属反射层材料蒸镀在基板一表面，形成金属反射层；

将所述金属反射层外表面进行氧化处理，形成金属氧化物的漫反射层；

在真空镀膜系统中，将半透金属层材料蒸镀在所述漫反射层外表面，形成半透金属层。

8.如权利要求7所述的倒置有机电致发光装置的制备方法，其特征在于：在制备所述漫反射层的步骤中，所述氧化处理的方法为臭氧氧化处理、等离子氧化处理、紫外氧化处理中的任一中或两种以上方法的结合；其中，

所述臭氧氧化处理的方法为：将蒸镀有金属反射层的基板置于臭氧发生器中，发生器的UV光源发射波长为185nm和254nm，处理时间5～30分钟；

所述等离子氧化处理的方法为：将蒸镀有金属反射层的基板置于等离子处理室中，通入体积比为（2～5）:1的Ar与O₂混合气体，维持等离子处理室压力为10～100pa，射频电源功率为10～100W，处理时间为5～30分钟；

所述紫外氧化处理的方法为：采用紫外光直接照射所述金属反射层的外表面5～30分钟。

9.一种显示屏，包括显示模块和用于控制显示模块的控制模块，其特征在于：所述显示模块含有如权利要求1～7任一项所述的倒置有机电致发光装置。

10.一种设有显示屏的终端，所述终端的显示屏为如权利要求9所述的显示屏。