[发明专利]倒置有机电致发光器件及其制备方法无效
| 申请号： | 201310193517.2 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104183761A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;王平;冯小明;陈吉星 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518052 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 倒置 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种倒置有机电致发光装置，包括依次层叠结合的基板、阴极层、有机功能层和阳极层，所述有机功能层包括发光层，其特征在于：还包层叠结合在所述阴极层与有机功能层之间的PN结，所述PN结的P型半导体层与所述阴极层层叠结合，所述PN结的N型半导体层与所述有机功能层层叠结合；其中，所述P型半导体层材料为无机氧化物，所述无机氧化物包括MoO3、ReO3、WO3、Sb2O3中的至少一种；所述N型半导体层材料为酞菁化合物，所述酞菁化合物包括为F16CuPc、F16ZnPc中的至少一种。
2.如权利要求1所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述P型半导体层的厚度为1nm～20nm。
3.如权利要求1所述的倒置有机电致发光装置，其特征在于：所述N型半导体层的厚度为1nm～20nm。
4.一种倒置有机电致发光装置的制备方法，包括如下步骤：
在真空镀膜系统中，将无机氧化物蒸镀在所述阴极层外表面制备P型半导体层；
在真空镀膜系统中，将酞菁化合物蒸镀在所述P型半导体层外表面制备N型半导体层，所述N型半导体层与所述P型半导体层形成PN结。
5.如权利要求4所述的倒置有机电致发光装置的制备方法，其特征在于：在制备所述P型半导体层的步骤中，所述蒸镀时的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，所述无机氧化物的蒸发速度为
6.如权利要求4所述的倒置有机电致发光器件的制备方法，其特征在于：在制备所述N型半导体层的步骤中，所述蒸镀时的真空度为1×10-5Pa～1×10-3Pa，所述酞菁化合物材料蒸发速度为
7.如权利要求4～6任一所述的倒置有机电致发光装置的制备方法，其特征在于：所述无机氧化物包括MoO3、ReO3、WO3、Sb2O3中的至少一种。
8.如权利要求4～6任一所述的倒置有机电致发光装置的制备方法，其特征在于：所述酞菁化合物包括为F16CuPc、F16ZnPc、中的至少一种。
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