[发明专利]修复介质K值的方法有效
| 申请号： | 201310192549.0 | 申请日： | 2013-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104183541B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王宗涛;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 修复 介质 方法 | ||
1.一种修复介质K值的方法，其特征在于，所述修复介质K值的方法至少包括以下步骤：
1）提供一基板，在所述基板上形成介质层；
2）在所述介质层中刻蚀出若干凹槽，并进行清洗去除刻蚀残留物；
3）采用微波照射刻蚀后的介质层。
2.根据权利要求1所述的修复介质K值的方法，其特征在于：于所述步骤3）中，所述微波的波长范围是1.0E-3米~2.5E-1米，功率范围是50W~5KW，照射时间为10s~10min。
3.根据权利要求1所述的修复介质K值的方法，其特征在于：于所述步骤3）之后还包括在所述凹槽中填充金属，并去除所述凹槽外多余的金属直至暴露所述介质层上表面，然后再次采用微波照射所述介质层的步骤。
4.根据权利要求3所述的修复介质K值的方法，其特征在于：再次采用微波照射所述介质层时，所述微波的波长范围是1.0E-3米~2.5E-1米，功率范围是50W~5KW，照射时间为10s~10min。
5.根据权利要求3所述的修复介质K值的方法，其特征在于：采用化学机械抛光法去除所述凹槽外多余的金属。
6.根据权利要求3所述的修复介质K值的方法，其特征在于：所述金属为Cu、Al或W。
7.根据权利要求1或3所述的修复介质K值的方法，其特征在于：于所述步骤1）中，所述介质层为多孔超低K介质；所述多孔超低K介质满足K<3或K<2.5。
8.根据权利要求1或3所述的修复介质K值的方法，其特征在于：于所述步骤1）中，所述介质层的材料为碳掺杂氧化物。
9.根据权利要求1或3所述的修复介质K值的方法，其特征在于：于所述步骤2）中，所述清洗包括湿式清洗或干式清洗。
10.根据权利要求1或3所述的修复介质K值的方法，其特征在于：采用微波照射时的气氛为惰性气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
