[发明专利]一种直接贴焊的半导体发光共晶晶片的制造方法

权利要求书

1.一种直接焊接DA的半导体发光共晶晶片的制造方法，包括：

对透明体衬底的正面和背面都进行图形化处理；

在图像化处理后的透明体衬底上进行外延生长EPI得到外延片；

对得到的外延片进行前段工序，在所述前段工序中对外延片进行金属光刻，用光刻胶在外延片上形成电极图形，以及对外延片进行金属蒸镀，沉积Cr，Ni，Au，Ti，Sn，金属蒸镀后的沉积的最外层为AuSn合金层，得到具有电极的外延片；

对经前段工序处理后的外延片进行倒模倒装处理；

对倒膜处理后的外延片进行激光切割得到直接焊接DA的半导体发光共晶晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述外延生长采用金属有机物化学气相淀积MOCVD的方式。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述衬底是蓝宝石AL₂O₃或碳化硅SiC，所述图形化处理采用图像化蓝宝石衬底PSS工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前段工序在所述金属光刻之前还包括：

利用光刻胶和具有预定图案的掩膜板对外延片表面进行光刻；

对光刻后的外延片进行蚀刻；

对蚀刻后的外延片进行电流阻挡层CBL沉积；

对电流阻挡层沉积后的外延片进行CBL光刻；

对CBL光刻后的外延片进行CBL蚀刻；

对CBL蚀刻后的外延片采用纳米铟锡氧化物ITO进行电流扩散层沉积；

对电流扩散层沉积后的外延片进行ITO光刻；

对ITO光刻后的外延片进行ITO蚀刻；

对ITO蚀刻后的外延片进行预退火处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前段工序在所述金属光刻之后和所述金属蒸镀之前还包括：

对金属光刻后的外延片进行灰化处理。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前段工序在所述金属蒸镀之后还包括：

对外延片进行剥离，将电极以外的金属剥离掉；

对剥离后的外延片采用等离子增强化学汽相沉积进行钝化层沉积；

对钝化层沉积后的外延片进行快速退火处理。

7.根据权利要求1所述的方法，所述前段工序还包括：

在快速退火处理后对外延片进行焊接性模拟测试WST。

8.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在所述前段工序之后和所述倒模处理之前，对外延片表面进行研磨减薄。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，经所述外延生长得到的外延片为氮化镓GaN或InGaN或，其P型层对应地为P-GaN或InGaN或InGaAlP，N型层对应地为N-GaN或InGaN或InGaAlP。

10.根据权利要求4所述的方法，其中，所述电流阻挡层沉积采用二氧化硅SiO2作为隔离介质层。