[发明专利]一种多晶硅太阳电池减反射膜及其制备方法

权利要求书

1.一种多晶硅太阳电池减反射膜，其特征在于它包括三层膜，第一层膜为热氧化法生长的二氧化硅膜，第二层为在二氧化硅膜上沉积的氮氧化硅膜，第三层为在氮氧化硅膜上沉积的第二层氮氧化硅膜，所述的二氧化硅膜厚度为8-12nm，折射率为2.1-2.3，所述的第一层氮氧化硅膜厚度为15-25nm，折射率为1.9-2.0，所述的第三层氮氧化硅膜厚度为30-50nm，折射率为1.7-1.9。

2.一种多晶硅太阳电池减反射膜的制备方法，该制备方法依次经过下述常规工序：清洗、制绒、制结和刻蚀，在氧气气氛中进行热氧化生长二氧化硅膜，然后通过等离子体增强化学气相沉积方法在二氧化硅膜上沉积氮氧化硅膜，再通过等离子体增强化学气相沉积方法在氮氧化硅膜上沉积第二层氮氧化硅膜，得到多晶硅太阳能电池减反射膜。

3.根据权利要求2所述的多晶硅太阳电池减反射膜的制备方法，其特征在于所述的热氧化生成二氧化硅膜的工艺条件为：通入氮气流量为15-30L/min，氧气流量为20-35L/min，温度为600-750℃，反应时间20-30min。

4.根据权利要求3所述的多晶硅太阳电池减反射膜的制备方法，其特征在于所述的热氧化生成二氧化硅膜的工艺条件为：通入氮气流量为20L/min，氧气流量为32L/min，温度为700℃，反应时间25min。

5.根据权利要求2所述的多晶硅太阳电池减反射膜的制备方法，其特征在于所述的沉积第一层氮氧化硅膜的工艺条件为：温度430℃，氨气流量2.4-3.1L/min，硅烷流量10-15L/min，笑气流量5-6.3L/min，压力为0.3KPa，射频功率4000瓦，持续时间4-5min。

6.根据权利要求5所述的多晶硅太阳电池减反射膜的制备方法，其特征在于所述的沉积第一层氮氧化硅膜的工艺条件为：温度430℃，氨气流量2.5L/min，硅烷流量12L/min，笑气流量5.7L/min，压力为0.3KPa，射频功率4000瓦，持续时间4min。

7.根据权利要求2所述的多晶硅太阳电池减反射膜的制备方法，其特征在于所述的沉积第二层氮氧化硅膜的工艺条件为：温度450℃，氨气流量6-8L/min，硅烷流量20-27L/min，笑气流量3.2-5.4L/min，压力为1.6KPa，射频功率4000瓦，持续时间5-8min。

8.根据权利要求7所述的多晶硅太阳电池减反射膜的制备方法，其特征在于所述的沉积第二层氮氧化硅膜的工艺条件为：温度450℃，氨气流量7L/min，硅烷流量24L/min，笑气流量4.6L/min，压力为1.6KPa，射频功率4000瓦，持续时间6min。