[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310190108.7 | 申请日： | 2013-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN104183477B | 公开（公告）日： | 2017-11-14 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王冬江 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
1.一种制作半导体器件的方法，包括：
提供具有第一区域和第二区域的半导体衬底，所述第一区域包括金属栅极，所述第二区域包括虚拟栅极；
在所述第一区域和所述第二区域上形成屏蔽氧化层和图案化的光刻胶层；
根据图案化的光刻胶层刻蚀去除所述第二区域中的所述屏蔽氧化层和所述虚拟栅极，以形成沟槽；
采用基于四氟化碳的气体处理所述沟槽；
采用基于氮气和一氧化碳的混合气体处理所述沟槽，通过所述两次处理去除残留在所述沟槽中的聚合物的同时，避免对所述金属栅极的化学损伤。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属栅极包括功函数金属层和金属电极层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述虚拟栅极的材料为多晶硅或者氮化硅或者无定型碳。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述图案化的光刻胶层和所述屏蔽氧化层之间还形成有掩膜层。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体衬底上的所述金属栅极和所述虚拟栅极的两侧还形成有层间介电层。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述屏蔽氧化层的厚度是10埃～200埃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域为PMOS区域，所述第二区域为NMOS区域。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一区域为NMOS区域，所述第二区域为PMOS区域。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，刻蚀所述屏蔽氧化层和所述虚拟栅极的方法为干法刻蚀。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，干法刻蚀采用的气体为基于氧气的气体。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，干法刻蚀采用的气体为三氟化氮或者溴化氢或者四氟化碳。
12.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为氮化钛。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
