[发明专利]基板干燥的装置与方法

权利要求书

1.一种干燥基板的方法，包括：

前阶段，在所述前阶段中，向基板底面喷射热流体以提高该基板的温度，同时向旋转基板的上表面喷射有机溶剂；

所述热流体是去离子水(DI water)，所述有机溶剂是异丙醇(IPA)。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

后阶段，在所述后阶段中，停止喷射所述热流体，并向所述基板的上表面喷射所述有机溶剂。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述前阶段与所述后阶段期间，与所述有机溶剂一起喷射干燥气体，以改善所述有机溶剂的汽化能力。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述后阶段中的基板旋转速度高于所述前阶段中的基板旋转速度。

5.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述后阶段期间，所述有机溶剂从所述基板中心到所述基板边缘只喷射一次。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述前阶段包括：

扫描步骤，在所述扫描步骤中所述有机溶剂的扫描喷射被引导着从所述基板中心到所述基板边缘、以及从所述基板边缘再到所述基板中心；和

定点步骤，在所述定点步骤中所述有机溶剂在所述基板中心定点喷射，

其中所述热流体仅在所述定点步骤中喷射到所述基板的底面。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括：

后阶段，在所述后阶段中，停止喷射所述热流体，并仅向所述基板的上表面中心喷射有机溶剂。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述后阶段中基板的旋转速度高于所述前阶段中基板的旋转速度。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，所述后阶段中基板的旋转速度是1400～1600转/分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，喷射到所述基板底面的所述热流体的温度是60～80℃。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述前阶段中，聚积在管路中的液体排放一定时间后，再向所述基板底面喷射所述热流体。

12.一种干燥基板的方法，包括：

前阶段，在所述前阶段中，向基板底面喷射热流体以提高该基板的温度，与此同时向所述基板上表面喷射有机溶剂、并向所述基板上表面喷射干燥气体以改善所述有机溶剂的汽化能力；和

后阶段，在所述后阶段中，停止喷射所述热流体，向所述基板上表面喷射所述有机溶剂与所述干燥气体；

所述热流体是去离子水(DI water)，所述有机溶剂是异丙醇(IPA)。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述后阶段中基板的旋转速度是600～800转/分，所述旋转速度高于所述前阶段中基板的旋转速度；并且

其中所述有机溶剂从所述基板中心到所述基板边缘只喷射一次。

14.一种干燥基板的方法，包括：

前阶段，在所述前阶段中，有机溶剂的扫描喷射被引导着从基板中心到基板边缘、以及从基板边缘再到基板中心之后，向基板底面喷射热流体以提高所述基板温度，同时向所述基板中心定点喷射所述有机溶剂；和

后阶段，在所述后阶段中停止喷射所述热流体，并仅向所述基板上表面中心喷射所述有机溶剂；

所述热流体是去离子水(DI water)，所述有机溶剂是异丙醇(IPA)。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述后阶段中基板的旋转速度是1400～1600转/分，所述旋转速度高于所述前阶段中基板的旋转速度。