[发明专利]一种降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构有效
| 申请号： | 201310186632.7 | 申请日： | 2013-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN104167476A | 公开（公告）日： | 2014-11-26 |
| 发明（设计）人： | 田宇;郑建钦;曾颀尧;赖志豪;郭廷瑞;黄绣云;黄信智;张志刚;吴东海;童敬文;林政志;李鹏飞 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 led 缺陷 密度 发光二极管 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，它从下至上依次包括图形化的蓝宝石衬底（1）、AlN缓冲层（2）、U型GaN层（3）、N型GaN层（4）、有源区（5）、电子阻挡层（6）和P型GaN层（7），其特征在于：所述U型GaN层（3）的生长厚度为1-10um，U型GaN层（3）中间插入一层AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层（10），其中Al的组分为0.01<X<1。
2.根据权利要求1所述的降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于：所述AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层（10）在氮气或者氢气环境中生长，生长温度为650-1200℃，生长压力在50-800mbar，生长周期为1-10。
3.根据权利要求1或2所述的降低蓝光LED缺陷密度的发光二极管结构，其特征在于：所述AlxGa1-xN/SiNx缺陷阻挡层（10）中AlxGa1-xN的厚度为10-5000埃，SiNx的厚度为10-5000埃。
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