[发明专利]半导体晶圆的温度控制系统及方法

权利要求书

1.一种用于半导体晶圆温度控制的方法，所述方法包括：

在第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度时，在所述第一腔室接收所述半导体晶圆；

利用至少一个温度传感器感测所述半导体晶圆的温度、晶圆盒的温度或环境温度；

通过第一加热模块与第二加热模块将所述半导体晶圆加热至第二温度，且将所述第一腔室的所述压力水平降低至第二压力水平；以及

将所述半导体晶圆提供至第二腔室的支承元件，其中所述第二腔室维持第三压力水平，所述第三压力水平比所述第一压力水平更接近于所述第二压力水平，且所述支承元件处于第三温度，所述第三温度比所述第一温度更接近于所述第二温度，

其中加热控制器耦接至所述第一加热模块、所述第二加热模块和所述至少一个温度传感器，其中所述加热控制器接收所述至少一个温度传感器的温度读数，并且基于所述至少一个温度传感器的所述温度读数确定加热所述半导体晶圆的方式以降低所述第一温度与所述第三温度之间的差距。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二温度和第三温度基本上彼此相等，所述第二压力水平和第三压力水平基本上彼此相等，所述第一腔室为装载锁定腔室，且所述第二压力水平为真空压力水平。

3.如权利要求1所述的方法，其中通过所述第一加热模块加热所述半导体晶圆包括通过所述第一加热模块来接触所述半导体晶圆的背部，且在接触所述半导体晶圆的同时通过所述第一加热模块来加热所述半导体晶圆。

4.如权利要求1所述的方法，通过所述第二加热模块加热所述半导体晶圆包括通过所述第二加热模块来加热所述半导体晶圆的上部。

5.一种用于半导体晶圆温度控制的系统，所述系统包括：

第一腔室，所述第一腔室被配置以在所述第一腔室处于第一压力水平且半导体晶圆处于第一温度的同时从第一转移单元接收所述半导体晶圆，所述第一腔室包括第一压力控制单元，所述第一压力控制单元被配置以将所述第一腔室压力水平降低至第二压力水平；

第一加热模块，所述第一加热模块包括由加热控制器控制的至少一个加热元件，所述加热控制器被提供有至少一个温度传感器的温度读数；

所述至少一个加热元件被配置以将所述半导体晶圆加热至第二温度；

第二加热模块，所述第二加热模块由所述加热控制器控制，并被配置以加热所述半导体晶圆的上部；以及

第二转移单元，被配置以在所述系统的所述第一腔室与第二腔室之间转移所述半导体晶圆，所述第二腔室包括支承元件，所述支承元件被配置以在第二压力控制单元维持第三压力水平的同时且在所述支承元件处于第三温度的同时接收所述半导体晶圆，所述第三压力水平比所述第一压力水平更接近于所述第二压力水平，而所述第三温度比所述第一温度更接近于所述第二温度，

其中加热控制器耦接至所述第一加热模块、所述第二加热模块和所述至少一个温度传感器，其中所述加热控制器接收所述至少一个温度传感器的温度读数，并且基于所述至少一个温度传感器的所述温度读数确定加热所述半导体晶圆的方式以降低所述第一温度与所述第三温度之间的差距。

6.如权利要求5所述的系统，其中所述第二温度和第三温度基本上彼此相等，所述第二压力水平和第三压力水平基本上彼此相等，所述第一腔室为装载锁定腔室，且所述第二压力水平为真空压力水平。

7.如权利要求5所述的系统，其中所述第一加热模块被配置以接触所述半导体晶圆的背部，且在接触所述半导体晶圆的同时加热所述半导体晶圆。

8.如权利要求5所述的系统，进一步包括第二加热模块，被配置以加热所述半导体晶圆上部。

9.如权利要求8所述的系统，其中所述第二加热模块被配置以在不接触所述半导体晶圆的情况下，加热所述半导体晶圆的所述上部。

10.如权利要求5所述的系统，进一步包括提升模块，被配置以从所述第一腔室的另一个元件将所述第一加热模块和所述半导体晶圆提升。