[发明专利]热处理方法和热处理装置无效
| 申请号： | 201310183179.4 | 申请日： | 2013-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN103515203A | 公开（公告）日： | 2014-01-15 |
| 发明（设计）人： | 木村贵弘;涩田浩二;锹田豊 | 申请（专利权）人： | 大日本网屏制造株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/26 | 分类号： | H01L21/26;H01L21/67 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张永康;向勇 |
| 地址： | 日本国京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 热处理 方法 装置 | ||
1.一种热处理方法，其通过对含有树脂的被处理体照射光来加热该被处理体，其特征在于，
采用从光源射出的光中去除了损伤所述树脂的波长区域后的光，照射所述被处理体。
2.如权利要求1所述的热处理方法，其特征在于，
从所述光源射出的光中去除波长在400nm以下的紫外光。
3.如权利要求2所述的热处理方法，其特征在于，
通过使从所述光源射出的光透过过滤器来去除波长在400nm以下的紫外光。
4.如权利要求1至3中任一项所述的热处理方法，其特征在于，
所述被处理体具有树脂的基材。
5.如权利要求1至3中任一项所述的热处理方法，其特征在于，
所述被处理体具有利用树脂粘接剂贴附基材的构造。
6.一种热处理装置，其通过对含有树脂的被处理体照射光来加热该被处理体，其特征在于，其具有：
对所述被处理体进行保持的保持装置；
对所述保持装置所保持的所述被处理体照射光的光源；以及
设置于所述保持装置与所述光源之间并且对损伤所述树脂的波长区域进行去除的过滤器。
7.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于，
所述过滤器对波长在400nm以下的紫外光进行去除。
8.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于，
所述过滤器具有封入了着色水的板状部件。
9.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于，
所述光源具有照射闪光的闪光灯。
10.如权利要求6至9中任一项所述的热处理装置，其特征在于，
所述被处理体具有树脂的基材。
11.如权利要求6至9中任一项所述的热处理装置，其特征在于，
所述被处理体具有利用树脂粘接剂来贴附基材的构造。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
