[发明专利]基于单‑多模光纤耦合的光纤端面无标记光学传感器有效
| 申请号： | 201310182823.6 | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN104165840B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 杨天;贺晓龙 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01N21/01 | 分类号： | G01N21/01 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200240 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 光纤 耦合 端面 标记 光学 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于单-多模光纤耦合的光纤端面无标记光学传感器，其特征在于，至少包括：
单模光纤；
多模光纤，其端面制备有无标记光学传感结构；
单-多模光纤模场匹配耦合器，连接于所述单模光纤及多模光纤之间，实现所述单模光纤及多模光纤的模场匹配耦合，其中，所述单-多模光纤模场匹配耦合器使单模光纤中的基模通过中间拉锥的部分逐渐高效率耦合到多模光纤的基模而不激发其他模式。
2.根据权利要求1所述的基于单-多模光纤耦合的光纤端面无标记光学传感器，其特征在于：所述无标记光学传感结构为具有二维周期性网格状纳米线槽的贵金属薄膜。
3.根据权利要求2所述的基于单-多模光纤耦合的光纤端面无标记光学传感器，其特征在于：所述二维周期性网格状纳米线槽的在两个垂直方向的周期相等且为200～2000nm，纳米线槽的线宽为10～200nm。
4.根据权利要求2所述的基于单-多模光纤耦合的光纤端面无标记光学传感器，其特征在于：所述贵金属薄膜为Au薄膜、Ag薄膜或Al薄膜。
5.根据权利要求2所述的基于单-多模光纤耦合的光纤端面无标记光学传感器，其特征在于：所述贵金属薄膜的厚度为10～100nm。
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