[发明专利]一种ZnO半导体纳米材料墨水的制备方法

权利要求书

1.一种ZnO半导体纳米材料墨水的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一：在室温下，将表面活性剂溶于去离子水中，磁力搅拌5-30分钟；

步骤二：将ZnO纳米材料作为前驱体加入至步骤一所制的溶液中进行表面活化，所述ZnO纳米材料的量为0.01-0.4g/ml，并在50-90℃回流搅拌4-8小时；

步骤三：将表面活化后的ZnO纳米材料进行离心，并在50-80℃下干燥2-6小时；

步骤四：在室温下将，分散剂溶于的去离子水中，所述分散剂的用量为0.05-0.3g/ml；

步骤五：将步骤三所制得的ZnO纳米材料在含分散剂的去离子水中搅拌0.5-2小时，然后再超声20-60分钟，所述搅拌温度为30-50℃，得到ZnO半导体纳米材料墨水，所述ZnO纳米材料在墨水中的浓度为0.01-0.4g/ml；

步骤六：将步骤五所制得的ZnO半导体纳米材料墨水储存于玻璃器皿中，室温密闭保存。

2.如权利要求所述的一种ZnO半导体纳米材料墨水的制备方法，其特征在于步骤一中所述的表面活性剂为聚天氡氨酸，溶于去离子水中，浓度介于0.002-0.3g/ml。

3.如权利要求所述的一种ZnO半导体纳米材料墨水的制备方法，其特征在于步骤二中所述ZnO纳米材料选自ZnO纳米线或者纳米晶体，所述ZnO纳米线通过水热方法制备，所述ZnO纳米晶体采用溶胶-凝胶方法制备，ZnO纳米线与ZnO纳米晶体均为单晶结构，ZnO纳米线的长度介于500nm-5um，直径介于20nm-1um，ZnO纳米晶体的粒径介于20nm-1um。

4.如权利要求所述的一种ZnO半导体纳米材料墨水的制备方法，其特征在，步骤四中所述的分散剂选自阴离子分散剂、非离子分散剂或阳离子分散剂。