[发明专利]光掩模坯料及其制造方法、光掩模、图案转印方法及溅射装置

权利要求书

1.一种光掩模坯料的制造方法，其为在透明衬底上具备至少一层功能性膜的光掩模坯料的制造方法，其特征在于，

所述功能性膜由含有铬元素和选自铟、锡、铋、铊、锂、钠、钾和汞中的一种以上的金属元素的铬系材料构成，

在形成所述功能性膜的工序中，使铬靶即靶A和以至少一种所述金属元素作为主要成分的靶即靶B同时溅射，即，使靶A和靶B共溅射，

将所述靶A的总表面积设为S_A、将所述靶B的总表面积设为S_B时，使S_B＜S_A，

并且使所述总表面积S_A与S_B之比即S_B/S_A为0.7以下，

对所述靶A供给的功率密度为0.5W/cm²以上且20.0W/cm²以下，对所述靶B供给的功率密度为5W/cm²以上且20.0W/cm²以下。

2.如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，在所述功能性膜的成膜工序中，所述靶A和靶B中的至少一种使用多个。

3.如权利要求1所述的光掩模坯料的制造方法，其中，使所述总表面积S_A与S_B之比即S_B/S_A为0.01以上。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光掩模坯料的制造方法，其中，所述功能性膜包含遮光膜、防反射膜、蚀刻掩模膜和蚀刻阻挡膜中的至少一种。

5.如权利要求1～3中任一项所述的光掩模坯料的制造方法，其中，所述功能性膜包含遮光膜或防反射膜的任意一种。

6.如权利要求1～3中任一项所述的光掩模坯料的制造方法，其中，所述功能性膜为遮光膜。

7.一种光掩模坯料，通过权利要求1～3中任一项所述的方法制造，其特征在于，所述功能性膜中铬元素Cr和选自铟、锡、铋、铊、锂、钠、钾和汞中的一种以上的金属元素Me的含有比率即[Me]/[Cr]以原子比计为0.7以下。

8.一种光掩模，其通过在权利要求7所述的光掩模坯料上形成图案而得到。

9.一种图案转印方法，其中，使用权利要求8所述的光掩模进行曝光，从而将所述图案转印到光致抗蚀剂上。

10.一种溅射装置，其特征在于，

具备铬靶即靶A和以选自铟、锡、铋、铊、锂、钠、钾和汞中的一种以上的金属元素作为主要成分的靶即靶B作为分开的成膜用靶，

对所述成膜用靶独立地供给功率，

所述靶B的表面积S_B被设计得比所述靶A的表面积S_A小，

所述靶B的总表面积S_B与所述靶A的总表面积S_A之比即S_B/S_A为0.01以上且0.7以下，

对所述靶A供给的功率密度为0.5W/cm²以上且20.0W/cm²以下，对所述靶B供给的功率密度为5W/cm²以上且20.0W/cm²以下。

11.如权利要求10所述的溅射装置，其特征在于，所述靶A和靶B中的至少一种配置有多个。

12.如权利要求10或11所述的溅射装置，其特征在于，

所述溅射装置具备以能够在面内旋转的方式构成的支架，

溅射成膜用衬底以成膜面与所述靶的表面相对的状态保持于所述支架上。