[发明专利]一种基于Parylene填充的隔热结构及其制备方法

权利要求书

1.一种基于Parylene填充的隔热结构，其特征在于，包括基底硅片、结构层以及其间的氧化硅隔层，所述基底硅片背面的隔热区域包含若干通过深刻蚀形成的均匀排列的柱体，所述均匀排列的柱体之间填充有Parylene材料。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述结构层为CMOS电路或者MEMS结构。

3.权利要求1所述基于Parylene填充的隔热结构的制备方法，其步骤包括：

1）在基底硅片上加工结构层，并使结构层与基底硅片之间存在一氧化硅隔层；

2）在所述结构层上粘接玻璃衬片；

3）从基底硅片的背面进行减薄，然后在预留的隔热区域内进行深刻蚀，形成均匀排列的柱体；

4）在基底硅片背面的隔热区域填充Parylene材料；

5）在基底硅片背面光刻形成支撑结构；

6）剥离基底硅片正面粘接的玻璃衬片。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤1）所述结构层为CMOS电路或者MEMS结构。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤2）使用Waferbound键合剂进行所述粘接。

6.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤3）所述减薄是将基底硅片减薄至20-100um。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述柱体之间的距离为10-30um。

8.如权利要求3或7所述的方法，其特征在于，所述柱体为圆柱或棱柱。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述柱体为四棱柱或六棱柱。