[发明专利]光掩模坯料及光掩模的制造方法有效

专利信息
申请号: 201310182144.9 申请日: 2013-05-16
公开(公告)号: CN103424983B 公开(公告)日: 2017-03-08
发明(设计)人: 深谷创一;中川秀夫;笹本纮平 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: G03F1/38 分类号: G03F1/38;G03F1/80
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司11219 代理人: 金龙河,穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光掩模 坯料 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种光掩模坯料,其特征在于,在含有选自由钼、钽、铪、铌、钨、硅组成的组中的一种以上元素且能够通过氟类干蚀刻进行蚀刻的无机材料膜上具备由含有锡的铬系材料构成的硬掩模膜。

2.如权利要求1所述的光掩模坯料,其中,所述含有锡的铬系材料中锡的含量相对于铬的含量以原子比计为0.01倍以上且2倍以下。

3.如权利要求1或2所述的光掩模坯料,其中,所述含有锡的铬系材料为锡-铬金属、锡-氧化铬、锡-氮化铬、锡-碳化铬、锡-氮氧化铬、锡-碳氧化铬、锡-碳氮化铬、锡-碳氮化氧化铬中的任意一种。

4.如权利要求1或2所述的光掩模坯料,其中,所述能够通过氟类干蚀刻进行蚀刻加工的无机材料膜为含有钼和硅的膜。

5.如权利要求4所述的光掩模坯料,其中,所述含有钼和硅的膜为遮光膜。

6.一种光掩模的制造方法,其为使用权利要求1、2、5中任一项所述的坯料的光掩模的制造方法,其具备:

通过氯类干蚀刻对所述硬掩模膜进行蚀刻而形成硬掩模图案的工序;和

将所述硬掩模图案作为蚀刻掩模,通过氟类干蚀刻将所述图案转印到所述无机材料膜上的工序。

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