[发明专利]一种薄膜晶体管、制备方法及相应的液晶显示器在审
| 申请号： | 201310181621.X | 申请日： | 2013-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN103311311A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 江政隆;陈柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳汇智容达专利商标事务所(普通合伙) 44238 | 代理人： | 潘中毅;熊贤卿 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 制备 方法 相应 液晶显示器 | ||
1.一种薄膜晶体管，至少包括在衬底上形成的栅极电极、与所述栅极电极接触的栅极绝缘层和设置于所述栅极绝缘层另一侧的氧化物半导体层，其特征在于，
所述栅极绝缘层的氢浓度呈现浓度梯度分布，靠近栅极电极的部份氢浓度较高，而靠近氧化物半导体层的部份氢浓度较低。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层含有ZnOx，SnOx，InOx，GaOx中至少一种。
3.如权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层是由SiOx，SiNx，SiOxNy或其叠层所组成。
4.如权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述氧化物半导体层的外部依次形成源极电极层、漏极电极层和保护层。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层靠近栅极电极部份的氢浓度高于1E22 /cm3。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层靠近氧化物半导体层部份的氢浓度低于1E22 /cm3。
7.一种薄膜液晶管液晶显示器，其特征在于，其显示面板中薄膜液晶管采用如权利要求1至6任一项所述的薄膜液晶管。
8.一种薄膜液晶管的制备方法，其特征在于，在栅极绝缘层成膜步骤之后，在形成氧化物半导体层的步骤之前，至少包括采用高温热处理进行脱氢的步骤，使所述栅极绝缘层的氢浓度呈现浓度梯度分布，靠近栅极电极的部份氢浓度较高，而靠近氧化物半导体层的部份氢浓度较低。
9.如权利要求8所述的薄膜液晶管的制备方法，其特征在于，所述采用高温热处理进行脱氢的步骤中的处理条件为：
采用350℃~400℃的真空环境进行0.5~1.5小时的高温脱氢热处理。
10.如权利要求9所述的薄膜液晶管的制备方法，其特征在于，所述栅极绝缘层靠近栅极电极部份的氢浓度高于1E22 /cm3，所述栅极绝缘层靠近氧化物半导体层部份的氢浓度低于1E22 /cm3。
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