[发明专利]基于多晶碘化汞薄膜的X射线探测器的制备

权利要求书

1.一种用于基于碘化汞的X射线探测器的制备的方法，其特征在于该方法具有如下工艺过程和步骤：

a. 多晶碘化汞薄膜的制备：依据图1，先将TFT的多晶碘化汞薄膜衬底（8），用衬底温度控制仪温控（10），并置于薄膜生长管体；真空活塞盖用丙酮浸泡半小时后，超声清洗15分钟，再用酒精浸泡半小时，超声清洗15分钟；然后用去离子水反复冲洗六次，最后烘干备用；每次称取1.5克的HgI₂粉末，通过真空活塞装入薄膜生长管体；将衬底放入薄膜生长管体，盖上真空活塞，并用高真空硅脂密封玻璃磨口的缝隙；将抽气口用橡皮垫圈与真空机组连接，把生长管体下部，放入有超声波发生器（11）于油浴槽（9）炉加热，开启机械泵和扩散油泵（12），将生长管抽真空至10^-3Pa；使油浴快速升温至100℃，旁边有冷却水支管（7），并保持恒温，然后开启超声波发生器（11），开始多晶碘化汞薄膜生长；1.5h后，停止加热，让生长管自然冷却，同时关闭真空机组，停止抽气。

b. 碘化汞探测器的制备：可见附图2，在真空镀膜机中，用圆形点电极掩膜板在碘化汞膜的表面，蒸镀上约一层厚约100nm 面积为2mm²的金电极，蒸镀时，蒸发舟与多晶膜之间距离为8cm，蒸镀时间为1min；蒸镀结束后，取出样品，然后用石墨导电胶，在碘化汞膜上，粘接直径约30??m钯丝的为上电极引出线（5）；在探测器表面涂上一层聚对二甲苯为保护膜（3），用环氧树脂将探测器粘结，并固定在聚四氟乙烯基座（4）上，用钯丝引至外电路，焊接在外探测器引线上，并将衬底电极引线（6）外引线从基座上方引出固定；采用非磁性材料铝壳（I）作为探测器的外壳，并铝壳（1）外有一窗口（2），可通过X-射线至探测器。以此构成了多晶碘化汞薄膜的X-射线探测器。

2. 根据权利要求1的一种用于基于碘化汞的X射线探测器的制备的方法，其特征在于该气相沉积方法可制得沿<001>晶向柱状生长的多晶碘化汞薄膜，且良好晶粒结构完整性及均匀性。

3.根据权利要求1的一种用于基于碘化汞的X射线探测器的制备的方法，其特征在于采用该物理气相沉积制备的多晶HgI₂薄膜，正反向I-V特性较对称，与金电极形成良好的欧姆接触。