[发明专利]直列式多腔叠层并行处理真空设备及其使用方法

权利要求书

1.一种直列式多腔叠层并行处理真空设备，包括：呈直线式依次连接的进片腔、反应腔和出片腔，其特征在于：所述进片腔和出片腔中分别设置有用于基板传输的第一传输单元和第二传输单元，所述反应腔内部竖直堆叠设置有数目不少于2个的子反应腔以用于所需薄膜的制备，所述各子反应腔在面对所述进片腔的一侧和面对所述出片腔的一侧分别设置有开合装置。

2.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述进片腔、反应腔和出片腔之间依靠门阀实现可隔离连接，所述各子反应腔两侧设置的开合装置为弹簧门。

3.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：在所述同一子反应腔两侧设置的开合装置可以实现同时开启或者同时关闭。

4.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述进片腔和出片腔中设置的第一传输单元以及第二传输单元可以为机械手或者滚轮装置。

5.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述反应腔内竖直堆叠设置的所述子反应腔的数目范围为2-20个。

6.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述进片腔与出片腔内设置有竖直堆叠的基板支架，所述基板支架位置与所述子反应腔位置相对应。

7.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述反应腔体的个数可以为一个或者相互依次连接的若干个，其数量范围为1-5个。

8.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述子反应腔内通过化学气相沉积方法在基板上制备薄膜。

9.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述子反应腔内通过等离子增强的化学气相沉积方法在基板上制备薄膜。

10.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述真空设备处理的基板面积大于0.6m²。

11.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：基板在所述子反应腔内成膜的工艺时间在10分钟以内，所述第一传输单元和第二传输单元每动作一次的所需要传递时间范围为5-30秒。

12.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述多个子反应腔可以共用一个或者多个供气系统或者真空系统。

13.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：在所述反应腔的未与进片腔或出片腔相连接的侧壁上设置有一个或者若干维护窗口，其大小和位置对应于所述子反应腔的大小和位置，用于设备维护时取出所述子反应腔。

14.根据权利要求1所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备，其特征在于：所述真空设备为硅基异质结太阳能电池生产设备，用于生产硅基异质结太阳能电池。

15.一种权利要求1-14所述的直列式多腔叠层并行处理真空设备的使用方法，包括：

第一步，当所述子反应腔内基板上的成膜工艺完成后，所述子反应腔两侧的开合装置同时开启；

第二步，所述出片腔中的第二传输单元将基板从所述子反应腔中传输至所述出片腔中，且与此同时，所述进片腔中的第一传输单元将基板从所述进片腔中传输至所述子反应腔中；

第三步，关闭所述子反应腔两侧的开合装置，使所述子反应腔内发生化学气相沉积反应来制备所需薄膜。