[发明专利]半导体有源矩阵结构及其制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

通过下列步骤在支撑基板上制造第一背板结构：

在绝缘体上半导体晶片上形成用于有源矩阵的背板，所述晶片包括支撑基板和隐埋绝缘体层；以及

在所述背板上形成绝缘层；

在所述第一背板结构上形成金属层；以及

通过挠性处理物在所述金属层上施加力，从所述支撑基板剥脱所述第一背板结构、所述金属层和残留层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在剥脱之前将挠性处理物接合到所述金属层的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述支撑基板是硅基板，所述隐埋绝缘体层是隐埋氧化物层，以及所述残留层是硅层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述背板包括多个薄膜晶体管。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括从所述第一背板结构移除所述残留层。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括将第二处理基板固定到所述隐埋绝缘体层。

7.根据权利要求6所述的方法，还包括在剥脱之前将所述挠性处理物接合到所述金属层的步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括从所述第一背板结构移除所述金属层和所述挠性处理物。

9.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述第一背板结构之上形成前板，以形成具有所述背板的有源矩阵结构。

10.根据权利要求8所述的方法，还包括在所述第一背板结构的所述绝缘层中形成一个或多个过孔，以及形成在所述第一背板结构之上并电接触所述背板的透明导电材料层。

11.根据权利要求10所述的方法，还包括在所述透明导电材料层之上形成前板，以形成具有所述背板的有源矩阵结构。

12.根据权利要求11所述的方法，还包括在所述前板之上形成包封层。

13.根据权利要求12所述的方法，还包括从所述隐埋绝缘体层移除所述第二处理基板。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述前板包括多个照明器件。

15.根据权利要求12所述的方法，其中，所述包封层是挠性的。

16.一种方法，包括：

获得这样的结构，所述结构包括绝缘体上半导体晶片，其中所述晶片包括支撑基板和所述支撑基板之上的隐埋绝缘体层；在所述晶片上形成的包括有源半导体器件的背板；以及在所述背板上形成的绝缘层，其中，第一背板结构包括所述背板、所述绝缘层和晶片部分，所述晶片部分包括所述绝缘体上半导体晶片的所述支撑基板之上的所述隐埋绝缘体层；

在所述第一背板结构上形成金属层，以及

通过挠性处理物在所述金属层上施加力，从所述支撑基板剥脱所述第一背板结构、所述金属层和残留层。

17.根据权利要求6所述的方法，其中，所述绝缘体上半导体晶片包括在隐埋氧化物层之上的晶体硅半导体层，所述背板邻近所述晶体硅半导体层，且所述有源半导体器件包括晶体管。

18.根据权利要求16所述的方法，还包括在剥脱之前将所述挠性处理物接合到所述金属层的步骤。

19.根据权利要求18所述的方法，还包括移除所述残留层、将第二处理基板固定到所述隐埋绝缘体层以及从所述第一背板结构移除所述挠性处理物和所述金属层的步骤。

20.根据权利要求19所述的方法，还包括在所述第一背板结构之上形成前板，以形成具有所述背板的有源矩阵结构。

21.根据权利要求20所述的方法，还包括在所述第一背板结构的所述绝缘层中形成一个或多个过孔，形成在所述第一背板结构之上并与所述背板电接触的透明导电材料层，所述前板在所述透明导电材料层上形成。

22.根据权利要求20所述的方法，还包括在所述前板之上形成挠性包封层。