[发明专利]用于I/O接口的降压转换电路

权利要求书

1.一种用于I/O接口的降压转换电路，包括：

高压反相器，所述高压反相器包括高压PMOS管和高压NMOS管，所述高压PMOS管的源极和漏极分别与高压电源和第一输出端相连，所述高压PMOS管的栅极由一输入信号控制，所述高压NMOS管的源极和漏极分别与电源地和所述第一输出端相连，所述高压NMOS管的栅极与所述高压PMOS管的栅极相连；

钳位电路，所述钳位电路的供电端与低压电源相连，所述钳位电路的输入端与所述第一输出端相连，所述钳位电路的输出端与第二输出端相连；和

低压反相器，所述低压反相器包括低压PMOS管和低压NMOS管，所述低压PMOS管的源极和漏极分别与所述低压电源和第三输出端相连，所述低压PMOS管的栅极与所述第二输出端相连，所述低压NMOS管的源极和漏极分别与所述电源地和所述第三输出端相连，所述低压NMOS管的栅极与所述低压PMOS管的栅极相连，

其中，所述电源地低于所述低压电源，所述低压电源低于所述高压电源，所述输入信号在所述电源地和所述高压电源之间的电压摆动。

2.如权利要求1所述的用于I/O接口的降压转换电路，其特征在于，所述高压PMOS管和高压NMOS管分别具有第一阈值电压和第二阈值电压，所述第一阈值电压的绝对值和所述第二阈值电压均低于所述高压电源且高于所述低压电源。

3.如权利要求1所述的用于I/O接口的降压转换电路，其特征在于，所述低压PMOS管和低压NMOS管分别具有第三阈值电压和第四阈值电压，所述第三阈值电压的绝对值和所述第四阈值电压均低于所述低压电源且高于所述电源地。

4.如权利要求1所述的用于I/O接口的降压转换电路，其特征在于，所述降压转换电路的降压过程为：

所述输入信号为所述高压电源时，所述输入信号同时控制所述高压PMOS管截止、所述高压NMOS管导通，所述高压反相器经所述第一输出端将所述高压NMOS管的源极连接的电源地输出；

当所述钳位电路的输入端接收所述电源地时，所述钳位电路将所述第二输出端输出的电压下拉至与接收到的所述电源地相等；

所述电源地同时控制所述低压PMOS管导通、所述低压NMOS管截止，所述低压反相器经所述第三输出端将所述低压PMOS管的栅极连接的低压电源输出。

5.如权利要求1所述的用于I/O接口的降压转换电路，其特征在于，所述降压转换电路的降压过程为：

所述输入信号为所述电源地时，所述输入信号同时控制所述高压PMOS管导通、所述高压NMOS管截止，所述高压反相器经所述第一输出端将所述高压PMOS管的源极连接的所述高压电源输出；

当所述钳位电路的输入端接收所述高压电源时，所述钳位电路将所述第二输出端输出的电压上拉至与所述钳位电路的供电端的电压相等；

所述低压电源同时控制所述低压PMOS管截止、所述低压NMOS管导通，所述低压反相器经所述第三输出端将所述低压NMOS管的漏极连接的电源地输出。

6.如权利要求1至5中任意一项所述的用于I/O接口的降压转换电路，其特征在于，所述钳位电路为高压本征NMOS管，所述高压本征NMOS管的栅端为所述钳位电路的供电端，所述高压本征NMOS管的源/漏端的一端为所述钳位电路的输入端，所述高压本征NMOS管的源/漏端的另一端为所述钳位电路的输出端。