[发明专利]CMP后的清洗方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种CMP后的清洗方法。

背景技术

晶圆的清洗时半导体器件生产过程中非常重要的步骤，清洗地是否干净直接影响了器件的性能和良率，所以，在半导体器件的制备流程中，需要对晶圆进行多次清洗。

在现有的半导体制造工艺中，需要将金属钨(W)填充到接触孔(CT)中，然后进行平坦化。一般采用化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing，简称CMP)方法进行平坦化工艺，然而，在CMP的过程中会产生很多残留物(residue)，从而形成缺陷(defect)。所以，CMP之后需要对晶圆(wafer)进行清洗，以减少缺陷。现有的清洗方法一般是在钨CMP工艺之后，先采用氨水(NH₄OH)进行清洗晶圆，再采用氢氟酸(HF)清洗所述晶圆。

但是，在实际的操作过程中，发现现有的清洗方法并不能有效地去除钨CMP工艺之后的缺陷。如图1a和图1b所示，其中，图1a为钨CMP清洗后的缺陷分布图，图1b为钨CMP清洗并经氮化硅沉积后的缺陷分布图。由图1a可以看出，钨CMP清洗后的晶圆上的缺陷数量多(大概5000个)，且缺陷均匀分布于整个晶圆上；钨CMP进行清洗后，需要对晶圆沉积氮化硅，由图1b可以看出，沉积氮化硅后的晶圆上的缺陷数量多(大概8000个)，且缺陷均匀分布于晶圆的边缘位置。所以，如何提供一种CMP后的清洗方法，能够减少钨CMP清洗后晶圆上的缺陷，已成为本领域技术人员需要解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，解决现有的钨CMP清洗后晶圆上的缺陷多的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种CMP后的清洗方法，包括：

第一步，提供一钨CMP后的晶圆；

第二步，采用氢氟酸清洗所述晶圆；

第三步，采用氨水清洗所述晶圆。

进一步的，在所述第一步和第二步之间，还包括预清洗步骤。

进一步的，所述预清洗步骤包括：

采用去离子水漂洗所述晶圆。

进一步的，所述采用去离子水漂洗所述晶圆的时间为15秒～35秒。

进一步的，所述第二步包括：

采用氢氟酸刷洗所述晶圆；

采用去离子水漂洗所述晶圆。

进一步的，所述采用氢氟酸刷洗所述晶圆的时间为10秒～30秒。

进一步的，所述采用氢氟酸刷洗所述晶圆的步骤中，刷子的转速为100转/分～700转/分。

进一步的，所述采用去离子水漂洗所述晶圆的时间为35秒～60秒。

进一步的，所述第三步包括：

采用氨水漂洗所述晶圆。

进一步的，所述采用氨水漂洗所述晶圆的时间为40秒～70秒。

与现有技术相比，本发明提供的CMP后的清洗方法具有以下优点：

1、本发明的CMP后的清洗方法，包括在钨CMP工艺后，先进行第二步，采用氢氟酸清洗所述晶圆；再进行第三步，采用氨水清洗所述晶圆，与现有技术相比，采用本发明的清洗方法对钨CMP后的晶圆进行清洗，能够有效地清洗CMP过程中的化学残留物，得到的晶圆缺陷少，产品的良率高。

2、本发明的CMP后的清洗方法还包括在所述第一步和第二步之间，还进行一预清洗步骤，所述预清洗步骤包括，采用去离子水漂洗所述晶圆，可以进一步的减少晶圆的缺陷，提高产品的良率。

附图说明

图1a为现有技术中钨CMP清洗后的缺陷分布图；

图1b为现有技术中钨CMP清洗并经氮化硅沉积后的缺陷分布图；

图2为本发明一实施例的CMP后的清洗方法的流程图；

图3a为本发明第二实施例的钨CMP清洗后的缺陷分布图；

图3b为本发明第二实施例的钨CMP清洗并经氮化硅沉积后的缺陷分布图；

图4a为本发明第三实施例的钨CMP清洗后的缺陷分布图；

图4b为本发明第三实施例的钨CMP清洗并经氮化硅沉积后的缺陷分布图；

图5a为本发明第四实施例的钨CMP清洗后的缺陷分布图；

图5b为本发明第四实施例的钨CMP清洗并经氮化硅沉积后的缺陷分布图。

具体实施方式