[发明专利]发光二极管显示器与其制造方法在审
申请号: | 201310177872.0 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103426373A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 果尚志;吕宥蓉 | 申请(专利权)人: | 果尚志 |
主分类号: | G09F9/33 | 分类号: | G09F9/33;H01L33/00 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示器 与其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管显示器,其特征在于其包含:
基板;
多个像素,设置于该基板上,每个像素包含:
第一次像素,包含一个或多个第一发光二极管,以发出第一颜色的光;
第二次像素,包含一个或多个第二发光二极管,以发出第二颜色的光;
第三次像素,包含一个或多个第二发光二极管,以发出第三颜色的光;
其中每个该第一、第二和第三发光二极管包含:
第一电极;
第一掺杂纳米柱,与该第一电极欧姆接触;
主动发光区域,设置于该第一掺杂纳米柱上;
第二掺杂纳米柱,设置于该主动发光区域上;以及
第二电极,设置于该第二掺杂纳米柱上;
其中,该第一、第二、第三次像素的该主动发光区域皆包含单一材料系统,该单一材料系统所发出的该第一、第二、和第三颜色光的波长,可涵盖全波段可见光频谱范围。
2.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于该基板与成长该些第一、第二和第三发光二极管所用的基板相同。
3.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于该些第一、第二和第三发光二极管的第一电极是整块形成的共享电极,共用电压提供至该共享电极。
4.如权利要求3所述的发光二极管显示器,其特征在于多个电压被分开提供给每个像素的该第一、第二和第三发光二极管的该第二电极。
5.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于该第一、第二和第三颜色分别为蓝色、绿色和红色。
6.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于该第一掺杂纳米柱为N型氮化镓基纳米柱、该第二掺杂纳米柱为P型氮化镓基纳米柱,该主动发光区域包含一个或多个氮化铟镓基纳米碟。
7.如权利要求6所述的发光二极管显示器,其特征在于每个该些第一发光二极管的该主动发光区域,包含氮化镓阻挡层和用于发蓝光的氮化铟镓基纳米碟。
8.如权利要求6所述的发光二极管显示器,其特征在于每个该些第二发光二极管的该主动发光区域,包含氮化镓阻挡层和用于发绿光的氮化铟镓基纳米碟。
9.如权利要求6所述的发光二极管显示器,其特征在于每个该些第二发光二极管的该主动发光区域,包含氮化镓阻挡层和用于发红光的氮化铟镓基纳米碟。
10.如权利要求6所述的发光二极管显示器,其特征在于每个该些第一、第二和第三发光二极管的该主动发光区域包含两个以上的氮化铟镓基纳米碟,且每两个氮化铟镓基纳米碟之间还具有一个氮化镓阻挡层。
11.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于该基板是硅基板。
12.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于该基板的材质,是选自下列群组的其中之一或其组合:碳化硅、半导体、塑胶、金属、玻璃。
13.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于每个像素更包含第四次像素,其包含一个或多个第四发光二极管,以发出第四颜色的光。
14.如权利要求1所述的发光二极管显示器,其特征在于每个该第一掺杂纳米柱与该第二掺杂纳米柱具有两端,其中由该第二电极算起的第一端宽于另一端。
15.一种发光二极管显示器的制造方法,其特征在于其包含下列步骤:
提供导电基板;
形成多个第一掺杂纳米柱在该基板上;
形成整体或多个分离的第一电极,以通过该导电基板与该些第一掺杂纳米柱欧姆接触;
形成第一主动发光区域在每个该第一掺杂纳米柱的第一上表面上;
形成第二主动发光区域在每个该第一掺杂纳米柱的第二上表面上;
形成第三主动发光区域在每个该第一掺杂纳米柱的第三上表面上;
形成第二掺杂纳米柱在每个该第一、第二和第三主动发光区域上;
形成第二电极在每个该第二掺杂纳米柱上;
其中当电压分别提供给该第一电极和该第二电极,该第一、第二和第三主动发光区域分别发出第一、第二和第三颜色的光。
16.如权利要求15所述的制造方法,其特征在于该整体的第一电极被形成在该基板的下表面上。
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