[发明专利]一种过压保护电路及电子设备

权利要求书

1.一种过压保护电路，其特征在于，包括：

电压反馈控制器、分压电阻R3、分压电阻R4、三极管Q2、电阻R5、三极管Q3、电阻R7、三极管Q4、电阻R8、电阻R6、场效应管Q1；

所述电压反馈控制器一端与电路输入端VCC连接，并通过所述分压电阻R4与所述三极管Q3的基极连接，所述电压反馈控制器另一端接地；

所述三极管Q2的基极通过所述分压电阻R3与所述电路输入端VCC连接，所述三极管Q2的发射极与所述电路输入端VCC连接，所述三极管Q2的集电极通过所述电阻R5与所述三极管Q4的基极连接；

所述三极管Q4的发射极接地，所述三极管Q4的集电极与所述三极管Q3的基极连接；

所述三极管Q3的集电极通过所述电阻R7与所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q3的发射极通过所述电阻R6与所述电路输入端VCC连接，所述三极管Q3的基极通过所述电阻R8与所述场效应管Q1的栅极连接；

所述场效应管Q1的漏极与所述电路输入端VCC连接，所述场效应管Q1的源极外接负载LOAD。

2.如权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述电压反馈控制器，包括：

分压电阻R1、可调电阻R2、三端可调分流基准源TL431；

所述三端可调分流基准源TL431的参考端通过所述分压电阻R1与所述电路输入端VCC连接，所述三端可调分流基准源TL431的阳极接地，所述三端可调分流基准源TL431的阴极通过所述分压电阻R4与所述三极管Q2的基极连接。

3.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述电阻R5、所述电阻R6、所述电阻R7以及所述电阻R8均为保护电阻。

4.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述三极管Q2和所述三极管Q3均为PNP型三极管，所述三极管Q4为NPN型三极管。

5.如权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述场效应管Q1为N沟道绝缘栅型场效应管。

6.一种电子设备，包括连接在电源与负载之间的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路，包括：

电压反馈控制器、分压电阻R3、分压电阻R4、三极管Q2、电阻R5、三极管Q3、电阻R7、三极管Q4、电阻R8、电阻R6、场效应管Q1；

所述电压反馈控制器一端与电路输入端VCC连接，并通过所述分压电阻R4与所述三极管Q3的基极连接，所述电压反馈控制器另一端接地；

所述三极管Q2的基极通过所述分压电阻R3与所述电路输入端VCC连接，所述三极管Q2的发射极与所述电路输入端VCC连接，所述三极管Q2的集电极通过所述电阻R5与所述三极管Q4的基极连接；

所述三极管Q4的发射极接地，所述三极管Q4的集电极与所述三极管Q3的基极连接；

所述三极管Q3的集电极通过所述电阻R7与所述三极管Q4的基极连接，所述三极管Q3的发射极通过所述电阻R6与所述电路输入端VCC连接，所述三极管Q3的基极通过所述电阻R8与所述场效应管Q1的栅极连接；

所述场效应管Q1的漏极与所述电路输入端VCC连接，所述场效应管Q1的源极外接负载LOAD。

7.如权利要求6所述的电子设备，其特征在于，所述电压反馈控制器，包括：

分压电阻R1、可调电阻R2、三端可调分流基准源TL431；

所述三端可调分流基准源TL431的参考端通过所述分压电阻R1与所述电路输入端VCC连接，所述三端可调分流基准源TL431的阳极接地，所述三端可调分流基准源TL431的阴极通过所述分压电阻R4与三极管Q2的基极连接。

8.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述电阻R5、所述电阻R6、所述电阻R7以及所述电阻R8均为保护电阻。

9.如权利要求7所述的电子设备，其特征在于，所述三极管Q2和所述三极管Q3均为PNP型三极管，所述三极管Q4为NPN型三极管。

10.如权利要求7所述的电阻设备，其特征在于，所述场效应管Q1为N沟道绝缘栅型场效应管。