[发明专利]光半导体装置用基板和其制造方法、以及光半导体装置和其制造方法在审
申请号: | 201310177745.0 | 申请日: | 2013-05-14 |
公开(公告)号: | CN103426996A | 公开(公告)日: | 2013-12-04 |
发明(设计)人: | 小内谕;岩田充弘;原田良文;木村真司 | 申请(专利权)人: | 信越化学工业株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/60 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张永康;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 用基板 制造 方法 以及 | ||
1.一种光半导体装置用基板,其具有搭载光半导体元件且与该光半导体元件的第一电极电性连接的第一导线、及与前述光半导体元件的第二电极电性连接的第二导线,所述光半导体装置用基板的特征在于,其具有:
树脂成型体,该树脂成型体是热固化性树脂组合物的成型体,并且成型于分别并列配置的多个前述第一导线与前述第二导线之间的贯通的间隙内;及,前述热固化性树脂组合物的反射器,该热固化性树脂组合物的反射器成型于搭载前述光半导体元件的各个区域的周围;
并且,前述树脂成型体和前述反射器,通过注射成型而与前述第一导线和前述第二导线一体成型。
2.如权利要求1所述的光半导体装置用基板,其中,对前述第一导线与前述第二导线的表面,实施光泽度1.0以上的金属镀敷。
3.如权利要求1所述的光半导体装置用基板,其中,在前述第一导线与前述第二导线的厚度方向的侧面,具有台阶、斜度、或凹部。
4.如权利要求2所述的光半导体装置用基板,其中,在前述第一导线与前述第二导线的厚度方向的侧面,具有台阶、斜度、或凹部。
5.如权利要求1~4中的任一项所述的光半导体装置用基板,其中,前述并列配置的多个前述第一导线与前述第二导线,经由厚度比前述第一导线和前述第二导线的厚度薄的系杆,而与框状的框架连结。
6.如权利要求1~4中的任一项所述的光半导体装置用基板,其中,前述热固化性树脂组合物为选自硅酮树脂、改性硅酮树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸酯树脂、聚氨酯树脂中的至少一种。
7.如权利要求5所述的光半导体装置用基板,其中,前述热固化性树脂组合物为选自硅酮树脂、改性硅酮树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、丙烯酸酯树脂、聚氨酯树脂中的至少一种。
8.如权利要求1~4中的任一项所述的光半导体装置用基板,其中,前述热固化性树脂固化物至少包含无机填充材料及扩散材料的任意一种,前述无机填充材料为选自二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、硫酸钡、碳酸镁、及碳酸钡中的至少一种,前述扩散材料为选自钛酸钡、氧化钛、氧化铝、氧化硅中的至少一种。
9.如权利要求7所述的光半导体装置用基板,其中,前述热固化性树脂固化物至少包含无机填充材料及扩散材料的任意一种,前述无机填充材料为选自二氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化锑、氢氧化铝、硫酸钡、碳酸镁、碳酸钡中的至少一种,前述扩散材料为选自钛酸钡、氧化钛、氧化铝、氧化硅中的至少一种。
10.一种光半导体装置,其特征在于,
在权利要求1~4中的任一项所述的光半导体装置用基板的前述第一导线上,搭载有光半导体元件,进行引线接合或倒装芯片接合,而使前述光半导体元件的第一电极及第二电极与前述第一导线及前述第二导线分别电性连接,并将前述光半导体元件被树脂密封或透镜成型。
11.一种光半导体装置,其特征在于,
在权利要求9所述的光半导体装置用基板的前述第一导线上,搭载有光半导体元件,进行引线接合或倒装芯片接合,而使前述光半导体元件的第一电极及第二电极与前述第一导线及前述第二导线分别电性连接,前述光半导体元件被树脂密封或透镜成型。
12.一种光半导体装置用基板的制造方法,其是制造光半导体装置用基板的方法,所述光半导体装置用基板具有搭载光半导体元件并与该光半导体元件的第一电极电性连接的第一导线、及与前述光半导体元件的第二电极电性连接的第二导线,并且,所述光半导体装置用基板的制造方法的特征在于,
分别并列配置多个前述第一导线与前述第二导线;
在前述第一导线与前述第二导线之间贯通的间隙内,通过注射成型将热固化性树脂组合物成型而制成树脂成型体,在搭载前述光半导体元件的区域的周边,通过注射成型将前述热固化性树脂组合物成型而制成反射器,从而将前述树脂成型体及前述反射器与前述第一导线及前述第二导线一体成型。
13.如权利要求12所述的光半导体装置用基板的制造方法,其中,对前述第一导线与前述第二导线的表面,实施光泽度1.0以上的金属镀敷。
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