[发明专利]双栅氧器件的制造方法有效
| 申请号： | 201310177577.5 | 申请日： | 2013-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN103280403A | 公开（公告）日： | 2013-09-04 |
| 发明（设计）人： | 黄君;毛智彪;崇二敏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双栅氧 器件 制造 方法 | ||
1.一种双栅氧器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01，在沉积了氧化层薄膜的衬底上涂布光刻胶；
步骤S02，经过曝光和显影去除部分光刻胶，暴露出需要进行刻蚀的氧化层薄膜第一区域，未被去除的剩余光刻胶下的氧化层薄膜为第二区域；
步骤S03，在剩余光刻胶上涂布化学微缩材料，并加热，使化学微缩材料与光刻胶表面反应形成高分子交联的保护膜；
步骤S04，引入紫外光照射步骤S03处理后的光刻胶表面，加强固化光刻胶表面的高分子交联保护膜；
步骤S05，刻蚀去除该第一区域的氧化层薄膜，去除剩余光刻胶；
步骤S06，再次沉积一层氧化层薄膜，得到不同厚度的氧化层，形成双栅氧结构。
2.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于：步骤S01中光刻胶为适合I线光刻工艺、248纳米光刻工艺、193纳米光刻工艺或EUV光刻工艺的光刻胶。
3.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于：步骤S03中化学微缩材料是含烷基氨基的水溶性高分子材料。
4.根据权利要求3所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于：该水溶性高分子材料为含烷基氨基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯高分子材料。
5.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于：步骤S03中加热温度为80至180℃，加热时间为15至300秒。
6.根据权利要求5所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于：加热温度为90至170℃，加热时间为30至120秒。
7.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于：步骤S04中紫外光的光波波长为280至330纳米，紫外光的烘焙温度为100至180℃。
8.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于：该氧化层薄膜为氧化硅，该衬底为硅。
9.根据权利要求1所述的双栅氧器件的制造方法，其特征在于：步骤S03中加热后还包括用去离子水或含表面活性剂的去离子水溶液去除多余的化学微缩材料；步骤S03和S04均使用与步骤S02相同的显影机台；步骤S05中刻蚀为湿法刻蚀。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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