[发明专利]一种静态随机存储单元、其通孔结构及制造方法

权利要求书

1.一种静态随机存储单元通孔结构的制造方法，其特征在于，包括：

步骤S01：提供一个衬底，在所述衬底上形成栅极，在所述栅极侧壁表面形成保护层；

步骤S02：在所述保护层的侧壁表面形成隔离偏差侧墙，以及在所述衬底内形成浅掺杂源漏区域；所述浅掺杂源漏区域位于所述两个相邻隔离偏差侧墙之间下方正对区域，且远离两个所述保护层侧壁所夹栅极的下方正对区域；

步骤S03：采用湿法刻蚀工艺，将所述隔离偏差侧墙去除；步骤S04：在所述保护层的侧壁表面形成隔离侧墙，以及在所述衬底内形成源漏扩散区域；所述源漏扩散区域位于所述浅掺杂源漏区域，且正对所述两个相邻隔离侧墙之间下方区域，且远离两个所述保护层侧壁所夹栅极的下方正对区域；

步骤S05：在所述源漏扩散区域内形成金属硅化物；

步骤S06：在所述衬底上依次形成刻蚀阻挡层和金属前介电氧化膜；

步骤S07：经刻蚀，在所述保护层之间形成通孔，直至所述通孔底部的所述金属硅化物暴露出来。

2.根据权利要求1所述的一种静态随机存储单元通孔结构的制造方法，其特征在于，在所述步骤S03中，包括：在所述衬底上形成一层光刻胶，经曝光显影，将所述隔离偏差侧墙的顶部区域暴露出来，其它区域被所述光刻胶遮蔽；然后采用湿法刻蚀工艺，将所述隔离偏差侧墙去除。

3.根据权利要求1所述的一种静态随机存储单元通孔结构的制造方法，其特征在于，在所述步骤S05之后，还可以包括：采用光刻工艺和湿法刻蚀工艺，将所述隔离侧墙去除。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种静态随机存储单元通孔结构的制造方法，其特征在于，在采用所述湿法刻蚀工艺后，对所述整个衬底进行光刻胶去除工艺和清洗。

5.根据权利要求1或2或3所述的一种静态随机存储单元通孔结构的制造方法，其特征在于，所述湿法刻蚀工艺采用的是磷酸湿法刻蚀。

6.根据权利要求1或2或3所述的一种静态随机存储单元通孔结构的制造方法，其特征在于，步骤S07之后，在所述通孔内填充金属，所述金属与所述通孔底部的所述金属硅化物相连接。

7.一种静态随机存储单元通孔结构，其特征在于，包括：

衬底；

栅极，形成在所述衬底上；

通孔，形成在所述两个栅极之间；

保护层，形成在所述栅极侧壁表面；

浅掺杂源漏区域，位于所述衬底中以通孔为中心的下方，且远离两个所述保护层侧壁所夹栅极的下方正对区域；其中，所述通孔用于填充导电介质，以及

源漏扩散区域，位于所述浅掺杂源漏区域中，其中，在所述源漏扩散区域内形成金属硅化物。

8.根据权利要求7所述的静态随机存储单元通孔结构，其特征在于，其还包括隔离侧墙，所述隔离侧墙形成于保护层的侧壁表面，所述源漏扩散区域位于所述浅掺杂源漏区域内，正对所述两个相邻隔离侧墙之间下方区域，且远离两个所述保护层侧壁所夹栅极的下方正对区域。

9.根据权利要求7所述的静态随机存储单元通孔结构，其特征在于，所述导电介质为金属。

10.一种静态随机存储单元，其特征在于，其包括权利要求7-8任何一个所述的静态随机存储单元通孔结构。

11.一种静态随机存储单元，其特征在于，其包括，根据权利要求1-6任何一个所述的制造方法所形成静态随机存储单元通孔结构。