[发明专利]存储装置、存储系统及其操作方法

说明书

提供了一种存储装置、存储系统、及其操作方法。一种操作包括多个存储单元的存储装置的方法，所述多个存储单元包括第一存储单元和与所述第一存储单元相邻的第二存储单元，所述方法包括：每次访问所述第一存储单元时，对所述第二存储单元的干扰值进行计数；基于计数来更新所述第二存储单元的干扰计数值；基于所述第二存储单元的干扰计数值、期望的阈值、和最大干扰计数值来调整刷新调度；以及当所述第二存储单元根据调整的刷新调度而被刷新时，复位所述第二存储单元的干扰计数值和最大干扰计数值。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2012年5月14日提交的美国临时专利申请No.61/646，410以及于2012年8月24日提交的韩国专利申请No.10-2012-0093113的优先权，通过引用将其每个的内容合并于此。

技术领域

本发明的一些示例性实施例涉及存储装置，并且更具体地，涉及被配置为通过控制刷新操作来减少在访问存储单元期间发生的干扰而造成的动态刷新特征的劣化的存储装置和/或存储系统，和/或其操作方法。

背景技术

高电压被施加到诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体存储装置的字线上，使晶体管能够访问存储单元。然而，由高电压产生的电场可能会降低相邻小区中的存取晶体管(access transistor)的阈值电压。其结果是，单元的漏电流增加，这就是所谓的通门效应(pass gate effect)。为了防止由于泄漏电流而造成的数据丢失，在完全失去在单元中存储的数据之前，DRAM要求从单元中读取数据和重写数据到单元中的刷新操作。刷新操作可以在DRAM中周期性地执行，或者刷新操作可以在系统的请求下来执行。

刷新特征包括静态刷新特征和动态刷新特征。在存储单元阵列中的单元上的第一刷新操作和在单元上的第二刷新操作之间的时间间隙被称为刷新间隔。

静态刷新特征是当在刷新间隔期间对于DRAM存在较小数量的访问或没有访问时单元的刷新特征。动态刷新特征是当对DRAM而言比在静态刷新特征的情况下存在相对更多的访问时的单元的刷新特征。

当另一个单元以静态刷新而不是以动态刷新被访问时，一单元受到相邻的单元或线的影响较小，并且受到此时所产生的功率噪声的影响较小。与此相反，因为在动态刷新中，存在对于DRAM的频繁的访问，所以对于相邻单元的影响根据访问频率而变化。访问一个单元对于在DRAM中的其他每个单元的影响程度被称为干扰。当在DRAM存储单元阵列的单元之间存在较大的空隙时，干扰较低。然而，例如，当因为规模(scaling)而导致单元之间的间隙减小时，则诸如由相邻小区或线产生的干扰的扰动增加。

对于RAM(例如，DRAM)，不能够限制对于到特定的地址的访问，因此，可能会重复访问特定的单元。随着重复访问，单元的刷新特征由于扰动而迅速恶化。

因此，有利的是，对于干扰集中的单元进行更加频繁地刷新中，以改善刷新特征。

发明内容

根据本发明的概念的一些示例性实施例，提供了一种操作包括多个存储单元的存储装置的方法，所述多个存储单元包括第一存储单元和与第一存储单元相邻的第二存储单元。所述方法包括：每次访问第一存储单元时对第二存储单元的干扰值进行计数，基于计数来更新第二存储单元的干扰计数值，基于第二存储单元的干扰计数值、期望的阈值、和最大干扰计数值来调整刷新调度，以及当第二存储单元根据调整的刷新调度而被刷新时，复位第二存储单元的干扰计数值和最大干扰计数值。

干扰值可以是第一存储单元的累积访问时间除以单位时间。

更新包括每次对第一存储单元进行访问时，将在之前的访问时间处存储的干扰计数值添加到在第一存储单元的当前访问时间期间周期计数的值上。