[发明专利]一种超薄型VSOP封装件及其生产方法

权利要求书

1. 一种超薄型VSOP封装件，包括载体（1），载体（1）上粘接有IC芯片（3），IC芯片（3）通过键合线（5）与内引脚（4）相连接，内引脚（4）与连接脚（7）相连接，载体（1）、IC芯片（3）、键合线（5）、内引脚（4）以及连接脚（7）与内引脚（4）相连接的一端均封装于塑封体（6），其特征在于，所述载体（1）朝向内引脚（4）的两个侧面各有3个半圆形的凹槽（11），载体（1）背面设有呈矩阵式排列的多个凹坑（8），用以增强塑封体与载体背面和侧面的结合力；塑封体（6）两侧各伸出四个连接脚（7），连接脚（7）伸出塑封体（6）的长度为1mm～1.5mm，相邻两个连接脚（7）之间的距离为1.27±0. 05mmBSC。

2. 如权利要求1所述的超薄型VSOP封装件，其特征在于，所有内引脚（4）朝向载体（1）的一端为“T”字型，沿远离载体（1）的方向、内引脚（4）上依次设有锁定孔（13）和V形槽（12），用以增强塑封体与框架结合力，防止切筋和成形时引脚松动而产生离层，提高产品可靠性，满足MSL1可靠性要求。

3. 如权利要求1所述的超薄型VSOP封装件，其特征在于，所有连接脚（7）的底面平行，连接脚（7）的底面与塑封体（6）底面之间的距离为0.10±0. 05mm。

4. 如权利要求1或2所述的超薄型VSOP封装件，其特征在于，所述连接脚（7）为镀锡引脚或镍钯金引脚。

5. 如权利要求1所述的超薄型VSOP封装件，其特征在于，该封装件的外形尺寸为5.28mm×5.28mm×0.80mm。

6.一种权利要求1所述超薄型VSOP封装件的生产方法，其特征在于，该生产方法具体按以下步骤进行：

a.晶圆减薄

通过粗磨、精磨和抛光，得到最终厚度为150μm～170μm的晶圆；晶圆减薄过程中采用防止芯片翘曲工艺。

b. 划片

对减薄后的晶圆划片，划片进刀速度6～10mm/s，划片后清洗烘干；

c. 上芯

取背面粘贴有防溢料胶膜的多排矩阵式引线框架，上芯；根据芯片尺寸大小，采用DOE方法优化选用吸咀、多头顶针以及多头点胶头，采用划胶工艺、划胶速度300mm/s控制出胶量，防止爬胶；上芯后选用排风量≤20L/min、内部温度均匀的烘箱，采用先低温烘烤后高温烘烤的分段烘烤防分层工艺，在150℃～175℃的温度下烘烤3小时；

d.压焊

采用金丝键合低弧度控制技术进行压焊，通过平弧、反打与正打相结合的方式，以及尖锐拐角和平拐角的高级线弧形状，控制键合线弧高≤100μm；

e. 塑封及后固化

采用超薄型防翘曲和减小、消除离层的塑封工艺，控制模流和注塑速度，进行塑封；保证冲丝率＜5%，防胶体未填充、防芯片顶出破裂和焊线外漏，减少反包或回包；注塑后的固化时间比正常固化时间增加10秒～30秒；

后固化时采用防翘曲夹具夹持塑封后的IC框架料条，在175℃的温度下老化5小时，烘箱温度降至70℃以下后置于室温条件完全冷却；

f. 切除引线框架上的中筋连杆，切筋模具的刀具与塑封体之间的间隙大于0.05mm；

g. 打印工艺与同引脚SOP相同；

h. 对塑封体及外露电镀引线进行无铅镀锡，使连接脚表面镀覆一层焊锡；但是，镍钯金电镀框架不用电镀；

i. 采用冲切分离式入管方法冲切分离，在满足产品质量要求前提下控制冲切刀片到塑封体的距离为0.10mm，模具使塑封体上下固定压实，避免悬空，生产中及时清理模具内残胶碎片，防止残留异物造成产品偏移，以及多余物挤压导致塑封体产生破裂的隐患；

冲切分离入管后的产品经外观检验后,按客户要求包装入库。

7. 如权利要求6所述的生产方法，其特征在于，晶圆减薄过程中：粗磨时，粗磨速度50～100μm/min，粗磨厚度范围从原始晶圆厚度+胶膜厚度到晶圆最终厚度+胶膜厚度+50μm；精磨时，精度速度8～10μm/min，精度厚度范围从晶圆最终厚度+胶膜厚度+50μm到晶圆最终厚度+胶膜厚度+10μm；抛光时先进行机械抛光，再进行化学抛光；抛光厚度从晶圆最终厚度+胶膜厚度+10μm到晶圆最终厚度+胶膜厚度。

8. 如权利要求6所述的生产方法，其特征在于，所述步骤c中所用的多排矩阵式引线框架为铜合金引线框架、多排矩阵式电镀银引线框架或多排矩阵式镍钯金引线框架。