[发明专利]发光器件有效
| 申请号: | 201310176523.7 | 申请日: | 2013-05-14 |
| 公开(公告)号: | CN103579429B | 公开(公告)日: | 2018-04-10 |
| 发明(设计)人: | 林贤哲;崔宰熏 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/14 | 分类号: | H01L33/14 |
| 代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 张浴月,李玉锁 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 器件 | ||
1.一种发光器件,包括:
第一导电类型半导体层;
第二导电类型半导体层;以及
有源层,置于所述第一导电类型半导体层与所述第二导电类型半导体层之间,
其中所述第二导电类型半导体层包括:电子阻挡层,布置为靠近所述有源层;以及第二导电类型覆层,形成在所述电子阻挡层上,
其中所述电子阻挡层包括:多个第一区域,被图案化以彼此隔开;以及第二区域,布置在相邻的第一区域之间,
其中所述多个第一区域和所述第二区域直接布置在所述有源层上;
其中所述第二区域包括:第一层,直接布置在所述有源层上;以及第二层,直接布置在所述第二导电类型覆层;
其中所述多个第一区域中的每个第一区域的能量带隙大于所述第一层的能量带隙;
其中所述第一层的能量带隙大于所述第二层的能量带隙;以及
其中所述第二层的能量带隙与所述第二导电类型覆层的能量带隙相同。
2.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述多个第一区域中的每一个具有六边形剖面。
3.根据权利要求1所述的发光器件,其中所述多个第一区域中的每一个具有圆形剖面。
4.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件,其中所述第一层比所述第一区域更薄。
5.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件,其中邻近所述有源层的所述第一层的表面与邻近所述有源层的所述第一区域的表面排列在同一条线上。
6.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件,其中所述第一层具有1nm至20nm的厚度。
7.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件,其中所述第一层的厚度是所述第一区域的厚度的10%至50%。
8.根据权利要求1至3的任何一个所述的发光器件,其中所述多个第一区域中的每一个具有比所述第二区域更高的电阻。
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