[发明专利]同步整流控制电路以及方法有效
| 申请号: | 201310176316.1 | 申请日: | 2013-05-10 |
| 公开(公告)号: | CN103236795A | 公开(公告)日: | 2013-08-07 |
| 发明(设计)人: | 张凌栋 | 申请(专利权)人: | 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 |
| 主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
| 代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫 |
| 地址: | 310012 浙江省杭州市西湖*** | 国省代码: | 浙江;33 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 同步 整流 控制电路 以及 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子领域,特别涉及一种同步整流控制电路以及方法。
背景技术
图1所示为一Flyback(反激式变换器)同步整流电路的原理框图。该电路的功率级电路采用N-MOS晶体管S102作为同步整流器,控制电路控制同步整流器S102的导通和关断。当控制电路输出同步整流导通信号(SR open signal)给同步整流器S102的栅极“G”时,同步整流器S102导通,实现同步整流的作用。
在Flyback同步整流控制电路中,为了避免同步整流器S102开通时,被原副边换流造成的巨大噪声干扰,通常会设置一最小导通时间Ton_min来保证同步整流电路正常工作。当电路处于轻载(负载等于或者小于电路的预定轻载)时,原边晶体管S101的导通时间较短,原边电流峰值较小,因此,在Ton_min内,副边电流Is1下降至零后可能会继续减小变成负电流,Is1的负电流将会引起同步整流器S102漏源电压的剧烈变化,导致电路稳定性变差,并且需要较长的时间才能进入稳态。可见,现有技术中的同步整流电路控制方法在轻载时,采用拓扑为Flyback变换器的同步整流控制电路,会由于Ton_min的存在引起负电流的问题,降低同步整流电路的稳定性和效率。
发明内容
本发明实施例第一目的在于:提供一种同步整流控制电路,提高轻载状态下同步整流电路的稳定性和效率。
本发明实施例第二目的在于:提供一种同步整流控制方法,提高轻载状态下同步整流电路的稳定性和效率。
本发明实施例提供的一种同步整流控制电路,用于控制一同步整流电路,包括:
采样电路,用以采样所述同步整流电路的第一功率端和第二功率端之间的电压,以得到第一采样电压;
使能控制电路,所述使能控制电路的输入端与所述采样电路连接,用于对所述第一采样电压进行延时得到第二采样电压;当所述第一采样电压大于所述第二采样电压时,生成一斜坡电压;比较所述斜坡电压与根据预定的轻载状态预设的基准电压,根据比较输出信号生成一使能控制信号;
驱动电路,所述驱动电路的输出端与所述同步整流电路的控制端连接,所述驱动电路的第一输入端外接同步整流导通信号,所述驱动电路的第二输入端与所述使能控制电路连接以接收所述使能控制信号;
所述驱动电路用于当所述使能控制电路产生的使能控制信号为有效状态,且所述同步整流导通信号为有效状态时,向所述同步整流电路的控制端输出驱动信号,所述同步整流电路切换至导通状态。
可选地,所述同步整流电路的第二功率端连接至地,所述同步整流电路的第一功率端上的电压即为:所述第一功率端和第二功率端之间的电压。
可选地,所述使能控制电路包括:
延时电路,所述延时电路与所述采样电路连接,用于接收所述第一采样电压,对所述第一采样电压进行延时得到所述第二采样电压;
第一比较电路,用于比较所述第一采样电压与所述第二采样电压;
斜坡发生电路,用于当所述第一采样电压大于所述第二采样电压时,生成所述斜坡电压;
第二比较电路,用于比较所述斜坡电压与根据预定的轻载状态预设的基准电压,根据比较输出信号生成一使能控制信号。
可选地,所述延时电路包括:相互串联的电容(C)以及偏置电压源(Source1),所述电容(C)与所述第二采样电压连接;
所述第一比较电路包括:第一比较器,所述第一比较器的第一输入端接收所述第一采样电压,第二输入端接收所述第二采样电压;
所述斜坡发生电路包括:相互并联连接的可控开关,充电电容和电流源;所述可控开关的开关状态由所述第一比较器的输出信号确定;当所述第一采样电压大于所述第二采样电压时,所述可控开关处于断开状态,当所述第一采样电压小于所述第二采样电压时,所述可控开关处于闭合状态,此时所述充电电容两端的电压作为所述斜坡电压;
所述第二比较电路包括:第二比较器,所述第二比较器的第一输入端接收所述斜坡电压,第二输入端接收所述基准电压;当所述斜坡电压大于所述基准电压时,所述使能控制信号为有效。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽力杰半导体技术(杭州)有限公司,未经矽力杰半导体技术(杭州)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310176316.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





