[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，所述第一漏极与所述第一源极定义一第一U形沟道，所述第一U形沟道的开口朝第一方向设置，所述第二漏极和所述第二源极定义一第二U形沟道，所述第二U形沟道的开口朝不同于所述第一方向的第二方向设置，所述第二U形沟道的底部宽度大于所述第一U形沟道的底部宽度。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二U形沟道的底部宽度与所述第一U形沟道的底部宽度的差值在0.25μm～1.25μm之间。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一漏极为第一U形漏极，所述第二漏极为第二U形漏极，所述第一源极为第一条状源极，所述第二源极为第二条状源极，所述第一条状源极从所述第一U形漏极的开口延伸至所述第一U形漏极的内部且与所述第一U形漏极间隔设置，所述第二条状源极从所述第二U形漏极的开口延伸至所述第二U形漏极的内部且与所述第二U形漏极间隔设置，所述第一U形沟道的底部宽度为所述第一条状源极的端部与所述第一U形漏极的底部之间的宽度，所述第二U形沟道的底部宽度为所述第二条状源极的端部与所述第二U形漏极的底部之间的宽度。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一U形漏极的底部与所述第二U形漏极的底部部分重叠设置。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一方向为所述薄膜晶体管的清洗过程中用于吹干清洗液的吹风方向。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一方向与所述第二方向互为反向。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一漏极、所述第二漏极、所述第一源极以及所述第二源极由同一漏源层制成，所述薄膜晶体管进一步包括设置于所述漏源层下方的欧姆接触层，所述欧姆接触层对应于所述第一U形沟道和所述第二U形沟道的区域被蚀刻，以避免所述第一漏极与所述第一源极之间以及所述第二漏极与所述第二源极之间通过所述欧姆接触层相互导通。

8.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管阵列基板包括基板以及设置于所述基板上的如权利要求1-7任意一项所述的薄膜晶体管。

9.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：

于基板上形成漏源层；

蚀刻所述漏源层，以形成第一漏极、第二漏极、第一源极以及第二源极，所述第一漏极与所述第一源极定义一第一U形沟道，所述第一U形沟道的开口朝第一方向设置，所述第二漏极和所述第二源极定义一第二U形沟道，所述第二U形沟道的开口朝不同于所述第一方向的第二方向设置，所述第二U形沟道的底部宽度大于所述第一U形沟道的底部宽度；

利用清洗液清洗所述基板；

沿所述第一方向吹干所述清洗液。

10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，在所述于基板上形成漏源层的步骤之前，进一步包括：于所述漏源层下方形成一欧姆接触层；在所述沿所述第一方向吹干所述清洗液的步骤之后，进一步包括：蚀刻所述欧姆接触层对应于所述第一U形沟道和所述第二U形沟道的区域，以避免所述第一漏极与所述第一源极之间以及所述第二漏极与所述第二源极之间通过所述欧姆接触层相互导通。