[发明专利]一种阵列基板及制作方法、显示面板及驱动方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及制作方法、显示面板及驱动方法。

背景技术

目前，部分液晶显示面板为常白工作模式，如TN模式显示器。在TN模式的显示面板中，上偏光片和下偏光片的光透过轴相互垂直，使用扭曲角为90°的向列液晶的液晶模式。在工作的过程中，如果像素电极不施加电压或施加低电压时，液晶分子对经过下偏振片的偏振光偏振方向旋转90°，使得经过液晶层后的偏振光与上偏振片光透过轴方向一致，偏振光可以透过上偏振片，则此时像素是透光的，面板显示为白画面；当像素施加高电压时，液晶分子发生偏置，呈竖直状排列，此时的液晶分子不具有旋光特性，无法使经过下偏振片的偏振光进行旋转，故经过液晶层的偏振光与上偏振片光透过轴方向不一致，偏振光不能透过上偏振片，则此时像素不透光，面板显示为黑画面。这种常白模式的显示面板，其对比度远远低于常黑模式的显示面板。因为在显示面板工作过程中，处于非显示区域的数据线上的电场对于液晶分子来说是时刻变化的，会影响显示区域液晶分子的偏转状态，从而影响像素的透过率；同时，光在面板中传播时会发生折射、反射、散射等，也会使显示区域像素的漏光现象加重。

现有技术中，为了防止背光泄露，一般在显示面板中设置有黑矩阵；但是，黑矩阵不能控制光线的传输，只能在可能漏光的地方进行遮挡，且对于其它电极对液晶分子的影响导致的漏光不能加以改善，只能增加宽度进行遮挡，因此会导致显示面板开口率低且显示效果差。

发明内容

本发明实施例提供了一种阵列基板及制作方法、显示面板及驱动方法，用以提高现有技术中液晶显示面板的对比度。

本发明实施例提供了的一种阵列基板，所述阵列基板包括数据线，所述阵列基板还包括：第一钝化层，以及用于施加高低电平呈周期变化的偏置电压的偏置电极；其中，

所述第一钝化层位于所述数据线的上方；

所述偏置电极位于所述第一钝化层上方，且所述偏置电极的覆盖区域与所述数据线的覆盖区域重叠。

本发明实施例提供了一种所述阵列基板的制作方法，所述方法包括：

在数据线上方制作第一钝化层；

在第一钝化层上方制作偏置电极，且所述偏置电极的覆盖区域与所述数据线的覆盖区域重叠。

本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括上述阵列基板。

本发明实施例提供了一种所述的显示面板的驱动方法，所述方法包括：

在像素电极上施加灰阶电压，在公共电极上施加公共电极电压，驱使像素电极上的液晶分子发生偏转，所述方法还包括：

在偏置电极上施加偏置电压，驱使所述偏置电极覆盖区域对应的液晶分子发生偏转。

本发明实施例提供了一种阵列基板及制作方法、显示面板及驱动方法，其中，所述阵列基板包括第一钝化层和偏置电极，所述第一钝化层位于像素电极上方，用于将所述偏置电极与其它电极隔离，所述偏置电极位于第一钝化层上方，当所述在偏置电极上施加偏置电压时，位于所述偏置电极上方的液晶分子发生偏转，使该区域内的液晶分子竖直取向，由于竖直取向的液晶分子层旋光特性消失，对来自下方偏振片的偏振光没有延迟作用，使得经过液晶分子层后的偏振光与位于液晶分子层上方的偏振片的光透过轴的方向不一致，在偏置电极上方位置形成暗区，使非显示区域的液晶处于常黑的工作状态，从而阻止漏光现象的产生，提高了液晶显示面板的对比度。

附图说明

图1为本发明实施例一提供的阵列基板的剖面结构示意图；

图2为本发明实施例一提供的阵列基板的平面结构示意图；

图3为本发明实施例二提供的显示面板的结构示意图；

图4为本发明实施例三提供的显示面板的结构示意图；

图5为偏置电压、公共电极电压和灰阶电压示意图；

图6为液晶分子排列状态示意图。

具体实施方式

本发明实施例提供了一种阵列基板及制作方法、显示面板及驱动方法，用以提高现有技术中液晶显示面板的对比度。

本发明实施例提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括第一钝化层和偏置电极；其中，所述第一钝化层位于数据线的上方，用于将所述偏置电极与其它电极隔离；所述偏置电极位于第一钝化层的上方，且所述偏置电极的覆盖区域与数据线的覆盖区域重叠。其中，所述偏置电极与数据线的覆盖区域重叠可以是全部重叠，也可以是部分重叠。

较佳的，所述阵列基板还包括像素电极，所述像素电极的覆盖区域与偏置电极的覆盖区域不重叠。