[发明专利]一种氮化镓器件的加工方法和氮化镓器件有效
| 申请号： | 201310172945.7 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN104143592B | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 陈建国;张枫;刘蓬;谢春诚 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/30 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 孔凡红 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 器件 加工 方法 | ||
1.一种氮化镓器件的加工方法，其特征在于，该方法包括：
在所述氮化镓器件的表面垫积一层氧化层，使得所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层与所述氮化镓器件的表面之间的角度大于90°，所述氧化层的材质为电绝缘材质；
对所述氧化层进行刻蚀，以保留所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层、并去除掉所述台阶的侧壁之外的其他部分的氧化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在对所述氧化层进行刻蚀，以保留所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层、并去除掉所述台阶的侧壁之外的其他部分的氧化层之后，进一步包括：
在所述氮化镓器件的表面垫积一层金属层；
对所述金属层进行刻蚀，以保留所述台阶的左右两侧的金属层、并去除掉所述台阶的前后两侧的金属层，将所述台阶的左右两侧中一侧的金属层作为所述氮化镓器件的源极、另一侧的金属层作为所述氮化镓器件的漏极。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在对所述金属层进行刻蚀，以保留所述台阶的左右两侧的金属层，并去除所述台阶的前后两侧的金属层之后，进一步包括：
在所述氮化镓器件的表面再次垫积一层金属层；
对再次垫积的金属层进行刻蚀，以保留横跨所述台阶的金属层、并去除其他部位的金属层，将横跨所述台阶的金属层作为所述氮化镓器件的栅极。
4.如权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述氧化层的材质为二氧化硅。
5.如权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于，所述氧化层的厚度不小于所述台阶的厚度。
6.一种氮化镓器件，其特征在于，所述氮化镓器件包括台阶、分别位于所述台阶的左右两侧的源极S和漏极D、和横跨所述台阶的栅极G；以及，
在所述台阶的侧壁上垫积有氧化层，使得所述氮化镓器件的台阶的侧壁上的氧化层与所述氮化镓器件的表面之间的角度大于90°，所述氧化层的材质为电绝缘材质。
7.如权利要求6所述的氮化镓器件，其特征在于，所述氧化层的为二氧化硅。
8.如权利要求6或7所述的氮化镓器件，其特征在于，所述氧化层的厚度不小于所述台阶的厚度。
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