[发明专利]三结太阳电池及其制备方法有效
| 申请号： | 201310172395.9 | 申请日： | 2013-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN103346189A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 曾徐路;董建荣;李奎龙;孙玉润;于淑珍;赵勇明;赵春雨;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0693;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 宋鹰武 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳电池 及其 制备 方法 | ||
1.一种三结太阳电池，其特征在于：包括依次生长在P型GaAs衬底上的GaNAsBi底电池、第一隧道结、GaNAsBi中间电池、第二隧道结、AlGaInP顶电池以及N型GaAs欧姆接触层，其中，所述GaAs衬底上设有P电极，所述GaAs欧姆接触层上设有N电极。
2.根据权利要求1所述的三结太阳电池，其特征在于：所述GaNAsBi底电池的带隙值为0.94±0.03eV。
3.根据权利要求1所述的三结太阳电池，其特征在于：所述GaNAsBi中间电池的带隙值为1.39±0.03eV。
4.根据权利要求1所述的三结太阳电池，其特征在于：所述AlGaInP顶电池的带隙值为1.93±0.03 eV。
5.根据权利要求1所述的三结太阳电池，其特征在于：所述第一隧道结为包括N型GaInP和P型(Al)GaAs重掺层或者(In)GaAs重掺层和P型(Al)GaAs重掺层。
6.根据权利要求1所述的三结太阳电池，其特征在于：所述第二隧道结包括N型GaInP重掺层以及P型AlGaInP重掺层。
7.如权利要求1-6所述的三结太阳电池的制备方法，包括下列步骤：
S1，在GaAs衬底上生长GaNAsBi底电池；
S2，在所述GaNAsBi底电池上生长第一隧道结；
S3，在所述第一隧道结上生长GaNAsBi中间电池；
S4，在所述GaNAsBi中间电池上生长第二隧道结；
S5，在所述第二隧道结上生长AlGaInP顶电池；
S6，在所述AlGaInP顶电池上生长GaAs层作为GaAs欧姆接触层；
S7，在所述GaAs欧姆接触层和GaAs衬底上分别制备上电极以及下电极。
8.根据权利要求7所述的三结太阳电池的制备方法，其特征在于：所述三结太阳电池采用MOCVD法或MBE法生长形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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