[发明专利]可变电阻存储器件

权利要求书

1.一种可变电阻存储器件，包括：

第一电极；

第二电极，所述第二电极与所述第一电极间隔开；

电阻可变层和金属绝缘体转变层，所述电阻可变层和所述金属绝缘体转变层提供在所述第一电极与所述第二电极之间；以及

热阻挡层，所述热阻挡层提供在所述第一电极与所述金属绝缘体转变层之间、在所述金属绝缘体转变层与所述电阻可变层之间、或者在所述第二电极与所述金属绝缘体转变层之间，

其中所述热阻挡层包括为氧化物、氮化物、或它们的组合的绝缘材料，

其中所述热阻挡层具有从几至几十范围的厚度。

2.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述热阻挡层具有与所述金属绝缘体转变层不同的德拜温度。

3.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述热阻挡层包括多个不同的层，所述不同的层中的至少一个由不同的材料形成。

4.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述金属绝缘体转变层包括电阻值在临界温度处突然改变的材料。

5.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述金属绝缘体转变层包括氧化铌NbOx，2≤x≤2.5和氧化钒VOx，2≤x≤2.5中的至少一种。

6.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述电阻可变层包括电阻值根据材料相变、离子迁移、或氧空位的改变而变化的材料。

7.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述器件还包括：

第三电极，所述第三电极提供在所述金属绝缘体转变层与所述电阻可变层之间。

8.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述器件还包括：

第一导线，所述第一导线与所述第一电极耦接，并且沿着第一方向延伸，以及

第二导线，所述第二导线与所述第二电极耦接，并且沿着第二方向延伸。

9.如权利要求1所述的可变电阻存储器件，其中，所述热阻挡层被配置成减小在所述金属绝缘体转变层中产生的热的耗散。

10.一种可变电阻存储器件，包括：

垂直电极，所述垂直电极从衬底垂直延伸；

多个层间绝缘图案和多个水平电极，所述多个层间绝缘图案和所述多个水平电极中的每个沿着所述垂直电极延伸的方向以交替的方式层叠；

电阻可变层和金属绝缘体转变层，所述电阻可变层和所述金属绝缘体转变层提供在所述垂直电极与所述水平电极之间；以及

热阻挡层，所述热阻挡层提供在所述水平电极与所述金属绝缘体转变层之间、在所述金属绝缘体转变层与所述电阻可变层之间、或者在所述垂直电极与所述金属绝缘体转变层之间，

其中所述热阻挡层包括为氧化物、氮化物、或者它们的组合的绝缘材料，

其中所述热阻挡层具有从几至几十范围的厚度。

11.如权利要求10所述的可变电阻存储器件，其中，所述热阻挡层具有与所述金属绝缘体转变层不同的德拜温度。

12.如权利要求10所述的可变电阻存储器件，其中，所述热阻挡层包括多个不同的层，所述不同的层中的至少一个由不同的材料形成。

13.如权利要求10所述的可变电阻存储器件，其中，所述金属绝缘体转变层包括电阻值在临界温度处突然改变的材料。

14.如权利要求10所述的可变电阻存储器件，其中，所述金属绝缘体转变层包括氧化铌NbOx，2≤x≤2.5和氧化钒VOx，2≤x≤2.5中的至少一种。

15.如权利要求10所述的可变电阻存储器件，其中，所述电阻可变层包括电阻值根据材料相变、离子迁移、或氧空位的改变而变化的材料。

16.如权利要求10所述的可变电阻存储器件，所述器件还包括：

中间电极，所述中间电极提供在所述金属绝缘体转变层与所述电阻可变层之间。

17.如权利要求10所述的可变电阻存储器件，其中，所述垂直电极横跨所述多个水平电极而延伸。

18.如权利要求10所述的可变电阻存储器件，其中，所述热阻挡层被配置成减小在所述金属绝缘体转变层中产生的热的耗散。