[发明专利]有机发光显示设备和制造有机发光显示设备的方法在审
申请号: | 201310170700.0 | 申请日: | 2013-05-10 |
公开(公告)号: | CN103579286A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 李源规 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩芳;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 设备 制造 方法 | ||
1.一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:有源层;栅极,与有源层绝缘;层间绝缘层,覆盖栅极;以及源极和漏极,形成在层间绝缘层上并接触有源层;
有机发光装置,所述有机发光装置包括:像素电极,电连接到薄膜晶体管并形成在与栅极相同的层上;中间层,包括发射层;以及对电极,像素电极、中间层和对电极顺序地堆叠;以及
焊盘电极,所述焊盘电极包括:第一焊盘电极,形成在与像素电极相同的层上;第二焊盘电极,形成在第一焊盘电极上;和第三焊盘电极,形成在第二焊盘电极上;
所述层间绝缘层具有暴露第一焊盘电极和第二焊盘电极的开口部分,第二焊盘电极具有允许第三焊盘电极与第一焊盘电极接触的至少一个通孔。
2.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,第三焊盘电极接触第二焊盘电极,并穿过所述通孔直接接触第一焊盘电极,从而改善第一焊盘电极、第二焊盘电极和第三焊盘电极之间的粘附力。
3.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述开口部分完全暴露第一焊盘电极和第二焊盘电极并被第三焊盘电极覆盖。
4.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述开口部分暴露部分第二焊盘电极并且被第三焊盘电极覆盖。
5.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,第一焊盘电极和像素电极包含相同的材料。
6.如权利要求5所述的有机发光显示设备,其中,像素电极和第一焊盘电极包含透明电极。
7.如权利要求6所述的有机发光显示设备,其中,像素电极和第一焊盘电极包含氧化铟锡。
8.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,第二焊盘电极和栅极包含相同的材料。
9.如权利要求8所述的有机发光显示设备,其中,栅极和第二焊盘电极包含从Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W、MoW和Cu中选择的至少一种材料。
10.如权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,第三焊盘电极以及源极和漏极包含相同的材料。
11.如权利要求1所述的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备还包括电容器,所述电容器包括:下电容器电极,形成在与有源层相同的层上;和上电容器电极,形成在与栅极相同的层上并电结合到薄膜晶体管。
12.一种有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:
薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:有源层;栅极,与有源层绝缘;层间绝缘层,覆盖栅极;以及源极和漏极,形成在层间绝缘层上并接触有源层;
有机发光装置,所述有机发光装置包括:像素电极,电连接到薄膜晶体管并形成在与栅极相同的层上;中间层,包括发射层;以及对电极,像素电极、中间层和对电极顺序地堆叠;
焊盘电极,所述焊盘电极包括:第一焊盘电极,形成在与像素电极相同的层上;第二焊盘电极,形成在第一焊盘电极上;和第三焊盘电极,形成在第一焊盘电极上,
第二焊盘电极设置在第一焊盘电极上且具有暴露部分第一焊盘电极的至少一个沟槽,层间绝缘层形成为覆盖第二焊盘电极且具有暴露第一焊盘电极的通过第二焊盘电极暴露的部分的开口部分,第三焊盘电极设置在层间绝缘层上并接触暴露的第一焊盘电极。
13.如权利要求12所述的有机发光显示设备,其中,所述第三焊盘电极穿过所述至少一个沟槽直接接触第一焊盘电极以改善第一焊盘电极和第三焊盘电极之间的粘附力。
14.如权利要求12所述的有机发光显示设备,其中,所述开口部分暴露部分第一焊盘电极并被第三焊盘电极覆盖。
15.如权利要求12所述的有机发光显示设备,其中,所述层间绝缘层设置在第三焊盘电极和第二焊盘电极之间从而使第三焊盘电极不接触第二焊盘电极。
16.如权利要求12所述的有机发光显示设备,其中,第一焊盘电极和像素电极包含相同的材料。
17.如权利要求16所述的有机发光显示设备,其中,像素电极和第一焊盘电极包含透明电极。
18.如权利要求17所述的有机发光显示设备,其中,像素电极和第一焊盘电极包含氧化铟锡。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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