[发明专利]金属插塞的形成方法和NAND闪存的形成方法

权利要求书

1.一种金属插塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成牺牲层；

在所述牺牲层中形成呈矩阵排列的多个圆形通孔；

在所述圆形通孔中形成第一金属柱；

去除所述牺牲层；

在所述第一金属柱的侧面形成侧墙，所述侧墙厚度的两倍大于同一行中相邻两个圆形通孔之间的距离，所述侧墙厚度的两倍大于同一列中相邻两个圆形通孔之间的距离；

在所述侧墙之间的所述半导体衬底上形成第二金属柱。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙包括：先通过原子层沉积工艺在所述第一金属柱的表面以及所述半导体衬底上形成侧墙材料层，再通过等离子体蚀刻工艺蚀刻所述侧墙材料层，保留位于所述第一金属柱侧面的所述侧墙材料层；所述第二金属柱为圆柱体。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度为T，所述圆形通孔的直径为R，同一行中相邻两个所述第一金属柱之间的距离为Dr，同一列中相邻两个所述第一金属柱之间的距离为Dc，其中T<12{[(Dr+R)2+(Dc]]>+R)2]1/2-R}.]]>

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的厚度T>12{[(Dr]]>+R)2+(Dc+R)2]1/2-2R}]]>

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述圆形通孔的直径范围为5nm～500nm。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一金属柱的材料包括铜、钨、银、金、钛、钽和铝中的一种或多种的任意组合；所述第二金属柱的材料包括铜、钨、银、金、钛、钽和铝中的一种或多种的任意组合。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅和碳氮化硅中的一种或者多种的任意组合，厚度范围为100埃～30000埃。

8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述牺牲层之前，还包括：在所述半导体衬底上形成蚀刻停止层；所述圆形通孔贯穿所述蚀刻停止层。