[发明专利]一种有机发光器件及制造方法及显示面板在审
申请号: | 201310169995.X | 申请日: | 2013-05-09 |
公开(公告)号: | CN104143559A | 公开(公告)日: | 2014-11-12 |
发明(设计)人: | 林信志 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 竺路玲 |
地址: | 201506 上海市金山区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 发光 器件 制造 方法 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光器件,尤其涉及一种基于WOLED(White Organic Light Emitting Diode白光有机发光二极管)的顶射型有机发光器件及其制造方法以及采用该有机发光器件形成的显示面板。。
背景技术
目前,高像素的平面显示面板为市场的趋势,AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极体面板)面板吸引了众人的目光。
AMOLED面板在中小尺寸、像素为200ppi的面板市场中占据主导地位,且AMOLED WVGA(Wide Video Graphics Array,高于VGA分辨率的一种分辨率:800*480;~200ppi)为目前的主流分辨率,而高像素250ppi、300ppi以及350ppi将会是未来的发展趋势。现有的AMOLED面板的生产方式以Side by Side(并排)技术为主,然而该技术在生产300ppi及以上的产品具有一定的困难度。因此业界会采用另一种实现方式来制作AMOLED面板:WOLED加彩色滤片(Color Filter,CF)的方式。由于WOLED可以采用全开口的金属遮罩进行蒸镀,因此有可能实现高像素(250-350ppi)的画质。
顶射型有机发光器件(Top Emission)是为了实现AMOLED面板的高像素及高开口率而推出的技术方案。顶射型有机发光器件的特点在于:器件内部包括阳极和阴极,在上述两个反射电极之间会形成一个微共振腔(Micro-cavity),需要通过调整器件内部的微共振腔来达到最佳的出光效率和高色纯度,而微共振腔结构需要通过调整共振腔厚度,以达到在特定光波长下形成建设性干涉,从而提高发光色纯度及发光效率。
WOLED的发光光谱覆盖蓝光到红光的区域,当应用在顶射型有机发光器件的微共振腔结构中时,光线在不同的颜色区域可能出现建设性干涉或者出现破坏性干涉;WOLED一般使用全开口的掩膜制作,因此在三原色RGB的三个位置的膜层厚度是相同的,无法通过调整膜层厚度来调整微共振腔,从而无法实现所有发光波长(RGB)都有建设性干涉。
综上所述,现有的WOLED由于无法克服微共振腔调整的问题,因此无法应用于顶射型有机发光器件中。
发明内容
针对现有的顶射型有机发光器件存在的上述问题,现提供一种旨在对微共振腔实现调整的基于WOLED的顶射型有机发光器件及其制造方法以及采用该有机发光器件形成的显示面板。
具体技术方案如下:
一种有机发光器件,其中,包括形成于一基板上且彼此间隔绝的多个发光单元,每个所述发光单元包括半反射阴极、透明阳极以及夹在所述半反射阴极与透明阳极之间的WOLED层;
所述基板上设有一供多个所述发光单元共用的用以向上反射光线的反射阳极,每个所述发光单元的透明阳极与所述公用的反射阳极之间设有对应每个所述发光单元的各自独立的用以调整所述WOLED层发出的光的波长的光学调整层;
多个所述发光单元上方设有一滤色层,所述滤色层分成对应每个所述发光单元的滤色区域,各个所述滤色区域配合对应的发光单元使每个发光单元透过所述滤色区域发出的光形成一预定的颜色系统的组成颜色通道之一。
优选的,所述发光单元有三个。
优选的,所述滤色区域有三个,三个所述滤色区域分别与对应的发光单元形成红光、蓝光和绿光。
优选的,所述反射阳极采用具有高反射率的金属制成。
优选的,所述发光单元的半反射阴极主要由半穿透半反射的金属薄层形成。
优选的,所述发光单元的反射阳极采用银或者铝制成。
优选的,所述发光单元的半反射阴极主要由镁或者银或者镁银合金形成。
一种有机发光器件的制造方法,其中,应用于制造上述的有机发光器件,具体包括如下步骤:
步骤S1、于一基板上形成一反射阳极层;
步骤S2、于所述反射阳极层上根据需要形成的所述发光单元的个数形成多个相互分离的分布于所述反射阳极层上的光学调整层;
步骤S3、于对应每个发光单元的光学调整层上分别形成透明阳极层;
步骤S4、于对应每个发光单元的透明阳极层上分别形成WOLED层;
步骤S5、于对应每个发光单元的WOLED层上分别形成半反射阴极层;
步骤S6、对所述步骤S5中形成的器件进行封装,并以带有预定颜色区域的彩色滤光片封盖所述器件的顶部以形成所述滤色层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的